金属空位调控提升过渡金属氧化物空穴迁移率：开启光电化学水分解高效之路

为解决过渡金属氧化物半导体中因空穴和电子迁移率差异大限制器件性能的问题，研究人员开展调控提升空穴迁移率研究。结果显示多种氧化物空穴迁移率大幅提升，性能优异。推荐阅读，探索前沿科研成果！

　　

摘要

在过渡金属氧化物半导体中实现高效的载流子分离，对其在光电器件和催化器件中的应用至关重要。然而，空穴和电子迁移率之间的巨大差异严重限制了器件性能。第一作者单位的研究人员开发了一种通用策略，即通过金属空位（）调控降低空穴有效质量，进而提高空穴迁移率。的引入使空穴迁移率显著提升：中空穴迁移率提高 430%，中提高 350%，中提高 270%。为了说明这一发现的重要性，研究人员将这一概念应用于光电化学水分解领域，该领域对高效的载流子分离需求迫切。特别是，其光电转换效率提高了 4.4 倍，无论小型还是大型光电极，均能实现的性能，且具有卓越的稳定性，可维持 120 小时以上。