《ENERGY & ENVIRONMENTAL MATERIALS》:Construction of Sheet-on-Hollow Cube Cu2-xS/ZnIn2S4 p-n Heterojunction for Enhanced Visible-Light-Driven Photocatalytic Hydrogen Production
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本文报道了一种通过p-n异质结(Cu2-xS/ZnIn2S4)与局域表面等离子体共振(LSPR)效应协同增强光催化制氢性能的策略。该研究通过原位生长n型ZnIn2S4(ZIS)纳米片于p型Cu2-xS空心立方体上,构建了分级结构光催化剂,实现了可见光(λ≥420 nm)下5.7 mmol·g-1·h-1的产氢速率和11.4%的表观量子效率(AQE),为太阳能-化学能转换提供了新思路。
1 引言
面对全球化石燃料枯竭与碳排放引发的气候危机,光驱动水分解技术成为可再生能源系统的关键路径。该技术通过半导体异质结增强光生载流子分离,提高太阳能-氢能(STH)转换效率。ZnIn2S4(ZIS)作为带隙2.2–2.5 eV的n型半导体,虽具合适导带位置和稳定性,但存在电荷分离效率低、光腐蚀等问题。非化学计量化合物Cu2-xS通过铜空位调控,呈现可调带隙(1.2–2.1 eV)和LSPR效应,可拓宽光吸收范围至近红外区。本研究通过构建Cu2-xS/ZIS p-n异质结,协同利用内建电场与等离子体效应,提升光催化性能。
2 结果与讨论
2.1 形貌与结构表征
通过三步法合成Cu2-xS/ZIS异质结:先制备Cu2O纳米立方体,经硫化与蚀刻得空心Cu2-xS立方体,再水热生长ZIS纳米片。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)显示ZIS纳米片均匀包覆于空心Cu2-xS表面(图1d-f)。高分辨TEM(HRTEM)显示ZIS的(103)晶面与Cu2-xS的(220)晶面形成异质界面(图1g)。元素映射证实Cu、Zn、In、S的均匀分布(图1h)。X射线衍射(XRD)表明复合物中两相共存,Cu2-xS的衍射峰右移源于铜空位引起的晶格收缩(图2a)。电子顺磁共振(EPR)在g=2.002处信号证实硫空位存在(图2b)。X射线光电子能谱(XPS)显示复合物中In 3d和Zn 2p结合能正移,Cu 2p负移,表明电子从ZIS向Cu2-xS转移,形成由ZIS指向Cu2-xS的内建电场(图2c-f)。
2.2 光催化产氢性能
在可见光(λ≥420 nm)下,优化样品Cu2-xS/ZIS-2(Cu2-xS负载量12 wt%)的产氢速率达5.7 mmol·g-1·h-1,为纯ZIS的9.5倍(图3a-b)。表观量子效率(AQE)在420 nm处为11.4%,450 nm和500 nm处分别为4%和0.7%(图3c)。循环实验16小时后活性未明显下降,XRD和XPS证明催化剂结构稳定(图3d-f)。
2.3 光电物理化学性质
紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)显示Cu2-xS/ZIS的光吸收边扩展至800 nm,归因于Cu2-xS的LSPR效应(图4a)。通过Kubelka-Munk方程计算带隙,Cu2-xS和ZIS分别为1.52 eV和2.35 eV(图4b)。莫特-肖特基(M-S)测试确认Cu2-xS为p型,ZIS为n型半导体(图4c-d)。能带结构显示ZIS的导带位置(-1.21 V vs. NHE)满足产氢势垒要求(图4e)。光致发光(PL)光谱中复合物荧光淬灭,表明电荷分离增强(图4f)。开路电位(OCP)衰减变缓、电化学阻抗(EIS)弧半径减小及瞬态光电流增强,均证实异质结促进电荷分离与传输(图4g-i)。
2.4 DFT计算
计算表明ZIS和Cu2-xS的功函数分别为4.07 eV和5.03 eV,费米能级差异驱动电子从ZIS向Cu2-xS转移,形成内建电场(图5a-b)。在光照下,ZIS导带电子参与产氢反应,Cu2-xS价带空穴被牺牲剂消耗,实现载流子空间分离(图5c-d)。空心立方结构通过光反射增强光吸收,大比表面提供丰富反应位点,超薄结构缩短电荷迁移路径(图5e)。
3 结论
本研究成功构建了等离子体增强的Cu2-xS/ZIS p-n异质结光催化剂,通过内建电场、LSPR效应和分级结构协同作用,显著提升可见光产氢性能。该工作为设计高效太阳能转换系统提供了新思路。
4 实验部分
通过化学还原法合成Cu2O,经硫化与酸蚀得空心Cu2-xS立方体,再水热生长ZIS纳米片。DFT计算采用VASP软件包,考虑范德华修正,分析界面电荷转移机制。