利用基于物理的神经网络的仿真增强机器学习方法对Ga2O3晶体管(TCAD)的迁移率参数进行校准
《IEEE Transactions on Electron Devices》:Ga2O3 TCAD Mobility Parameter Calibration Using Simulation Augmented Machine Learning With Physics-Informed Neural Network
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时间:2026年01月06日
来源:IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
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基于机器学习自动校准和提取Ga2O3肖特基二极管PhuMob模型参数的研究。通过TCAD仿真数据训练的混合模型(自编码器+神经网络)在preturn-on regime下参数质量与专家校准相当,但在on-state regime表现不佳。引入物理信息神经网络(PINN)后,模型在两种工作状态下均达到专家水平精度。
摘要:
在本文中,我们展示了利用机器学习(ML)进行自动技术计算机辅助设计(TCAD)参数校准和提取的可行性,其中机器仅通过TCAD仿真数据进行训练。该方法通过实验数据进行了验证。使用新型超宽禁带材料氧化镓(Ga2O?)制备了具有不同有效阳极功函数(WF)的肖特基势垒二极管(SBDs),并在不同温度下对其进行了测量。这些二极管的电流-电压(I-V)曲线被用于自动校准Philips统一的迁移率(PhuMob)模型参数。共校准了五个关键的PhuMob参数:μ_max、μ_min、N_ref、α和θ。该系统由一个自动编码器(AE)和一个神经网络(NN)组成,仅通过包含WF变化以及五个PhuMob参数变化的TCAD仿真数据进行训练(总共七种变化情况)。随后,从带有噪声的实验曲线中提取了Ga2O3 PhuMob参数。使用这些提取的参数进行的后续TCAD仿真表明,在关断状态下,参数的质量与专家校准的结果相当;但在导通状态下则不然。通过使用基于简单物理知识的神经网络(PINN),该系统在所有工作状态下都能与人类专家的表现相当。
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