缺陷介导双通道电荷传输的MOF/COF S型异质结用于高效太阳能驱动重金属修复

《Advanced Science》:Defect-Engineered MOF/COF S-Scheme Heterojunction With Dual-Channel Charge Transport for Ultraefficient Solar-Powered Heavy Metal Remediation

【字体: 时间:2026年01月17日 来源:Advanced Science 14.1

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  本文综述了通过构建氧空位(OVs)介导的金属有机框架(MOF)/共价有机框架(COF)S型异质结,解决了传统异质结载流子分离效率低和电荷传输路径单一的问题。该策略通过真空热诱导共价桥接,形成了双通道电荷传输途径,显著增强了光生载流子分离效率,并将载流子寿命延长至278 ps(飞秒瞬态吸收光谱证实),对多种重金属离子(如UO22+、Cr2O72?等)展现出卓越的广谱去除能力,为太阳能驱动环境修复提供了新范式。

  
引言
全球能源需求增长与环境污染危机凸显了对可持续技术的迫切需求,光催化技术利用太阳能驱动氧化还原反应降解污染物,成为一种有前景的双重解决方案。然而,传统半导体光催化剂受限于光生电子-空穴对的快速复合,导致量子效率低和催化性能受限。近年来,S型异质结为提升光催化活性提供了新途径,这些结构促进了有效的空间电荷分离,同时保持了载流子的高氧化还原电位。尽管如此,其整体性能仍受限于一个持续的瓶颈——单一、缓慢的界面电荷传输路径,仍然易受复合损失的影响。当前研究主要强调异质结界面的修饰,例如晶体调控和表面工程策略,但往往忽视了“体相”电荷传输行为的基本作用。为了克服这一挑战,本研究提出了一种范式转换策略:缺陷介导的双通道电荷传输机制。
结果与讨论
形态与结构表征
MOF/COF复合材料命名为MIL@COF,通过共价键构建,其中醛基功能化的MIL-68(MIL-CHO)作为晶体种子引导TpTt-COF的外延生长。根据TpTt-COF的负载量,复合材料分别命名为MIL@COFx(MIL@COF0.5、MIL@COF1.0和MIL@COF2.0)。在异质结界面上,MIL-68和TpTt-COF之间形成的酰胺键作为共价桥,整合了MIL-68的分级孔隙率和TpTt-COF的结构规整性。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,原始MIL-68表面光滑,而MIL@COF呈现粗糙的纤维状形态,类似于纯TpTt-COF的结构,证实了TpTt-COF成功包覆在MIL-68表面,形成了核壳结构。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)进一步验证了这种分级结构,TpTt-COF壳层厚度约为30纳米,呈现多孔片状形态,而核心区域的晶格条纹对应于MIL-68的{0,1,1}晶面(d-间距为2.52 ?)。元素映射证实了铟(In)、碳(C)和氧(O)在MIL@COF异质结构中的均匀分布。粉末X射线衍射(PXRD)分析表明,随着COF负载量的增加,MIL-68的特征衍射峰强度逐渐减弱,反映了MOF相在复合材料中的稀释。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)显示,随着COF掺杂量的增加,─C─N─伸缩振动吸收峰逐渐红移,表明成功形成了共价键。X射线光电子能谱(XPS)和电子自旋共振(ESR)光谱证实了MIL@COF中氧空位(OVs)的存在,OVs的比例从MIL-68的15%显著增加到MIL@COF的23%。同步辐射X射线吸收光谱(XANES和EXAFS)进一步证明了OVs的形成及其对材料电子结构的影响。
电子结构与能带工程
XPS分析显示,MIL@COF中In 3d能级的结合能相对于原始MIL-68发生正移,表明MIL-68失去电子,而COF中三嗪官能团(C─N═C)的特征衍射峰结合能负移,表明电子从MIL-68定向迁移到TpTt-COF,在异质结界面上形成了有效的内建电场。紫外-可见漫反射吸收光谱表明,MIL@COF复合材料的光吸收边发生红移,扩展至700纳米以上,具有更宽的光吸收范围。通过Mott-Schottky图确定了MIL-68和TpTt-COF的平带电位,并计算了它们的导带(CB)和价带(VB)位置,MIL-68的CB约为0.05 V(vs. NHE),VB约为2.85 V,而TpTt-COF的CB约为-0.65 V,VB约为1.86 V。能带结构示意图表明,界面接触通过费米能级(Ef)对齐诱导TpTt-COF能带向上弯曲,MIL-68能带向下弯曲,形成S型异质结构型,同时产生从TpTt-COF指向MIL-68的内建电场(IEF)。电化学阻抗谱(EIS)显示MIL@COF具有最低的电荷转移电阻,瞬态光电流分析表明其光电流响应最强,表明异质结的形成促进了更高效的光生载流子分离。光致发光(PL)光谱显示MIL@COF的PL强度显著低于单一组分,表明异质结有效抑制了光生载流子的复合。开尔文探针力显微镜(KPFM)扫描显示,光照下材料的平均表面电位下降,表面电位差(△SP)降低约39 mV,验证了光生载流子的空间分离。
载流子动力学与双通道传输机制
飞秒瞬态吸收光谱(fs-TAS)用于分析光生载流子的动力学过程。TpTt-COF在380纳米处观察到基态漂白(GSB)信号,MIL-68在480至780纳米范围内观察到激发态吸收(ESA)信号。MIL@COF的GSB信号衰减速率远慢于母体材料,而ESA信号衰减速率加快,表明载流子分离更好,氧空位捕获了部分光生电子,抑制了激发态电子的弛豫和光生电子-空穴对的复合。在延迟时间范围内,MIL@COF在380纳米处的TA光谱出现上升趋势,表明产生了内部电荷分离(i-CS)态,这意味着光生激子快速分离为自由电子和空穴。衰减动力学曲线拟合显示,MIL@COF在400纳米处的GSB衰减符合三指数模型,表明存在三种弛豫路径:τ0 = 1.42 ps(晶格内电子扩散),τ1 = 2.7 ps(电子从MIL-68的导带底(CBM)捕获到缺陷诱导的陷阱能级),τ2 = 23.4 ps(共价键主导的界面电子转移),τ3 = 288 ps(界面转移后电子从TpTt的激发态回落至基态,寿命显著延长)。这些结果清晰地阐明了电荷事件的时间序列。
光催化性能与反应机理
在无牺牲剂条件下评估了对UO22+的催化去除效率。原始MIL-68和TpTt-COF对UO22+的去除有限,而MIL@COF复合材料性能显著增强。准一级动力学给出的速率常数为:MIL-68 0.0056 min-1,TpTt-COF 0.0029 min-1,MIL@COF2.00.0496 min-1,分别是母体材料的8.8和17.1倍。复合材料在60分钟内实现了97.6%的去除率,30分钟内完成。与物理混合物(180分钟内去除率38%)相比,MIL@COF在60分钟内达到98%,180分钟达到99.2%,证实异质结形成促进了电荷分离, drastically提高了催化效率。经过五次循环后,材料仍保持极高的去除效率,表明复合材料具有良好的稳定性。该催化剂对多种重金属离子(Re、Mo、U、Cr、Mn)展现出广谱去除能力,对Cr和Mn离子的去除效率达到100%。在不同环境条件下(pH、竞争阴离子、金属阳离子干扰)评估去除效率,MIL@COF均表现出高耐受性和高效性。活性物种测试表明,添加PBQ(对苯醌)、AgNO3或IPA(异丙醇)显著抑制UO22+去除,证实光生e?、·OH和·O2?是催化过程中的关键活性物种。电子顺磁共振(EPR)分析在光照下检测到强的·OH和·O2?信号,TEMPO信号强度随光照时间延长而减弱,表明大量e?迁移至材料表面。
双通道机制的理论验证
密度泛函理论(DFT)计算用于研究界面处的电荷迁移行为。电荷密度差分图显示,界面处发生了大量的电荷转移,表面TpTt-COF呈正电性趋势,与实验结果一致。电子云密度在界面的-C─N-键处显著聚集,表明共价键作为电荷转移的桥梁可以加速电子转移。电子通过紧密的异质结界面从TpTt-COF迁移到MIL-68,这种电荷转移带来的电荷密度差异在MIL@COF中诱导了内建电场,促进了光生电荷载流子的分离。OVs处的电荷密度分布表明OVs整体呈电中性,作为电子陷阱,有效捕获导带中的自由电子,引入局部电子受体态,吸引并捕获电子到缺陷能级上,从而阻止其在材料内的自由迁移。OVs工程通过建立缺陷能级,优先捕获光生电子,触发界面电荷行为重构,诱导被捕获的电子通过缺陷辅助路径穿越异质结势垒,极大地促进了低能载流子的消耗,同时在催化活性位点保留和富集具有强还原能力的光生电子,显著抑制了体相和界面的电荷复合,并优化了表面反应动力学。
结论
本研究通过真空诱导共价键合策略成功构建了OVs介导的MOF/COF S型异质结,解决了传统异质结载流子分离效率低和电荷传输路径单一的问题,实现了水体中重金属污染物的广谱去除。主要创新点在于:(1)通过共价键合实现了晶格匹配的连续S型异质结,构建了内建电场,提高了光载流子的空间分离效率;(2)OVs通过局域缺陷态触发了额外的载流子迁移机制,将载流子寿命延长至288 ps。同步辐射X射线吸收光谱(XAFS)和飞秒瞬态光谱(fs-TAS)证实了OVs的构建及其与S型异质结的协同效应。理论计算表明,界面电荷差异和OVs诱导的电荷耗竭协同优化了重金属离子的还原动力学。本研究提出的“界面-缺陷双调控”策略为光驱动重金属污染控制提供了新范式,真空热诱导OVs的合成方法可推广至其他多孔异质结系统的设计,将促进环境修复技术的精准调控。
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