适用于硅基D波段应用的高功率、高效率CMOS功率放大器：这些设计方法将CMOS的功率、增益和带宽扩展到了亚太赫兹（sub-terahertz）频段

《IEEE Solid-State Circuits Magazine》：High-Power and Highly Efficient CMOS Power Amplifiers for D-Band Applications in Silicon: Design methodologies that extend CMOS power, gain, and bandwidth toward sub-terahertz operation

本文提出三种突破CMOS硅技术物理限制的功率放大器设计方法：晶体管堆叠优化输入输出阻抗提升功率，增益平面嵌入反馈网络增强增益，反向反馈利用负电阻扩展带宽，在45nm和65nm CMOS工艺中实现200GHz附近高功率、高效率、宽带放大。

　　```html

摘要：

随着对多吉比特数据链路、高分辨率雷达和精密传感的需求增长，工作频率正被推向亚太赫兹（sub-THz）频谱。D波段和G波段（110–220 GHz）提供了巨大的带宽（BW）。然而，使用CMOS硅技术在这些频率下运行会遇到一些基本的物理限制，包括有限的击穿电压、低固有增益、显著的寄生效应以及较大的无源损耗。本文汇集了不同的设计方法，以突破这些限制，提高在接近