基于ALPO/CdTe-QD/ALPO栅堆结构的电荷捕获存储器，采用突发电压阶跃（Burst CV）方法进行制备

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Solution Processed ALPO/CdTe-QD/ALPO Gate-Stack-Based Charge Trap Memory Using Burst CV Method

量子点基存储器件采用溶液处理法制备的镉碲化物量子点多层堆叠结构（2/4 nm），实现26.2 V大记忆窗口，循环耐久性超10^4次，电荷保留率81.6%达10^4秒，多层异质结优化电荷捕获并抑制泄漏。

　　

摘要：

基于量子点的存储设备因其能够实现高密度、低功耗和可扩展的非易失性存储（NVM）技术而受到广泛关注。本文报道了一种采用溶液法制备的胶体碲化镉（CdTe）量子点（QDs）的多层堆叠结构存储器件，该器件具有较大的存储窗口（约26.2伏特）、优异的耐久性（超过10^4次编程/擦除循环）以及出色的电荷保持特性（在10^4秒后仍能保持约81.6%的存储电荷）。不同尺寸量子点组成的多层结构形成了更深的势阱，并增强了局域化陷阱态的密度，从而显著提高了电荷保持能力并减少了电荷泄漏。这些存储器件在10,000次编程/擦除循环后仍表现出稳定的性能，表明这种多层量子点系统在反复电应力作用下具有更好的电气稳定性。此外，在10^4秒后的保持性测试中，仍保留了超过81%的存储电荷，这反映了由于量子点层和周围介电屏障的作用而实现的强大电荷限制效果。这些结果展示了通过调控量子点尺寸和堆叠结构来开发下一代具有大存储窗口和长保持时间NVM系统的潜力。