近红外(NIR)光谱技术通过检测含氢官能团(如O-H、N-H、C-H)的振动 overtone和组合带,可以对材料成分进行定性和定量分析。(1), (2), (3), (4) 作为一种核心技术,它在食品安全检测、无损评估和夜视成像等关键应用中发挥着重要作用。(5), (6), (7), (8) 然而,由于现有光源的局限性,NIR光谱技术的广泛应用面临诸多挑战。(9), (10), (11) 这些挑战包括钨卤素灯的体积庞大和效率低下、明亮激光源的光谱范围有限和成本高昂,以及紧凑型NIR LED的强度和作用距离不足。(12), (13), (14), (15), (16) 通过将NIR荧光粉与环氧树脂封装在蓝色LED芯片上制成的荧光转换LED(pc-LED)成为了一种理想的解决方案,它们具有高能量效率、长寿命和小型化潜力,能够弥补这些不足。(17), (18), (19), (20)
过渡金属离子Cr3+(电子构型:[Ar]3d3)作为一种理想的宽带NIR发射激活剂,其发光特性与宿主晶格的八面体晶体场环境紧密耦合。(21), (22), (23), (24) 调节Cr3+的晶体场强度可以实现从窄带到宽带的光谱调控。(25), (26), (27) 在弱晶体场下,自旋允许的4T2g→4A2g跃迁占主导,产生满足大多数实际应用需求的宽带NIR发射。(28), (29), (30), (31), (32) 基于这一原理,已经从多种宿主基质材料合成了多种NIR荧光粉,包括Na4M3Ta(PO4)6: Cr3+(M = Al3+, Ga3+, In3+)、MTiTaO6: Cr3+(M = Al3+, Ga3+, Sc3+)、Ca2LuZr2Al3O12: Cr3+、Mg2SiO4: Cr3+和MgAlGa0.7B0.3O4: Cr3+。(18), (23), (33), (34), (35)
通式为M2BB'O6的双钙钛矿(其中M为碱土或稀土金属离子;B、B'为过渡或稀土金属离子)是Cr3+掺杂的特别有前景的宿主体系。(36), (37) 它们可调节的阳离子位点和可调的晶体场环境不仅便于Cr3+的掺入,还为发光特性的定制提供了平台。例如,Li等人报道了一种双钙钛矿NIR荧光粉Ca2AlTaO6: Cr3+,具有较高的发光耐热性(94%@423 K)。此外,通过用Ga3+替换B位点成功提高了发光效率。(38) Zeng等人报道了La2MgZrO6: Cr3+,其中Cr3+占据两个不同的八面体位点,半高宽(FWHM)为210 nm,量子效率为58%。(39) Liao等人开发了Ca2BTaO6: Cr3+(B = Ga3+, In3+, Sc3+)荧光粉,发现Sc3+替换(相对于Ga3+)会导致光谱红移,光致发光量子效率为32.6%。(40) Xiao等人合成(Ba, Sr)2ScNbO6: Cr3+荧光粉,通过用Ba2+替换Sr2+,NIR发光强度增加了三倍。(41) 尽管取得了这些进展,大多数研究仍集中在同一晶体系统内的离子替换上,而M阳离子替换引起的结构相变对Cr3+发光的影响尚未得到充分探索。
在这里,我们通过高温固态反应方法合成了Cr3+激活的M2ScTaO6(M = Ba, Ca)双钙钛矿NIR荧光粉,重点研究了M阳离子替换(Ba2+→Ca2+)如何调节相变和发光特性。结果表明,用Ca2+(1.34 ?,配位数=12)替换Ba2+(1.61 ?,配位数=12)会导致晶体从立方相(Fm-3m)转变为单斜相(P21/n)。M位点的替换显著增强了Cr3+的晶体场强度,Dq/B比值从1.57增加到2.15。因此,发射峰从896 nm蓝移至837 nm,同时强度显著提高。此外,Ca2ScTaO6: Cr3+表现出出色的热稳定性,其归一化发射强度(I423K/I303K)为46.9%,几乎是Ba2ScTaO6: Cr3+(24.8%)的两倍。最后,通过将Ca2ScTaO6: Cr3+与460 nm蓝色芯片耦合,制备了一个NIR pc-LED器件,证明了其在NIR成像中的实际应用价值。