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应用单高斯势垒分布模型分析α粒子与中重核（94Mo、90Zr、110Cd、128Te）的弹性散射截面，提取势垒分布并计算α诱导复合核形成（AICF）截面，结果显示该两参数模型在低能条件下的计算精度优于多参数光学模型，为p核合成研究提供新方法。
Sucheta Adhikari | Indrani Bhadra | Chinmay Basu
印度西孟加拉邦SaltLake第5区EM 4号Techno India大学物理系，Kolkata 700091，印度
摘要
次障碍重离子聚变反应已广泛研究与背角弹性和准弹性散射相关。在这项工作中，该技术被应用于由α粒子引发的与中等质量重核的反应，这对研究p核的合成具有重要意义。以170度角下对94Mo、90Zr、110Cd和128Te的弹性α散射截面作为测试案例，以提取障碍分布和α粒子的聚变截面。最近应用于重离子聚变反应的单高斯障碍分布模型在本研究中也被用于α粒子引发的反应，并且与多参数α光学模型相比具有优势。
引言
在次障碍能量下测量的重离子聚变反应截面显示出比一维障碍穿透模型计算更高的增强效果[1],[2],[3],[4]。这种现象可以通过将聚变障碍分布视为多个障碍而不是单一障碍来解释[5]。通过实验聚变截面的双重微分可以得到反应核相对能量的函数形式的实验聚变障碍分布。理论上，这种分布可以通过将非弹性反应通道（非弹性、转移、破裂）与相对运动耦合在耦合反应通道框架中来生成[6],[7]。通常，在低能量下测量聚变截面是一项困难的任务，为了提取聚变障碍分布，必须高精度地测量前者，而这往往是不可能的。另一种方法是从极端背角准弹性[8]和弹性散射[9]中提取障碍分布。由于测量弹性和准弹性截面比高精度测量聚变截面简单得多，因此这种方法得到了大量研究。此外，前一种方法涉及的误差也较小，因为它只涉及一次微分。
然而，上述方法尚未应用于低能量下的α粒子引发的复合核形成（AICF）。这可能是由于α粒子射弹的角动量较低，导致耦合通道效应减弱。值得注意的是，最近人们对次障碍能量下的α相互作用势特别感兴趣，尤其是在研究p核合成方面[10]。随着在低能量下测量AICF截面变得越来越困难，人们使用统计模型计算（即α光学模型）来预测截面。然而，在非常低的能量下，由于弹性截面中卢瑟福散射占主导地位，确定α光学势变得不确定。因此，通常使用适合更高能量α弹性散射截面的势参数。因此，研究是否可以利用背角α弹性散射截面以比依赖太多参数且在次障碍和深次障碍能量下不确定的光学势更简单、更明确的方式提取障碍分布和AICF截面是值得的。
在最近关于重离子（A > 12）的研究[11]中，规定聚变障碍分布可以用仅包含两个参数的单高斯障碍分布来参数化。然后通过将尖锐截止聚变截面与障碍分布叠加来获得聚变截面。这种单高斯障碍分布模型（SGBDM）的结果非常令人鼓舞，因为它们预测的深次障碍聚变截面比复杂的耦合通道计算结果更好。
在这项工作中，使用92,94Mo、90,91Zr和128Te（α, α）[12]在低能量下的背角弹性散射截面（包括障碍能量以下和以上）来提取α聚变障碍分布。选择这些反应的原因是，目前没有关于p核或中等质量重核在障碍能量以下的背角α弹性散射数据的发表。
因此，本文的目的是找到一个系统的单高斯障碍分布，并在没有背角弹性散射数据的情况下计算任何核的AICF截面。然而，这种方法不适用于轻核（例如12C）上的α捕获，因为在极端背角下存在共振，无法通过微分截面来获得障碍分布。本工作中使用的SGBDM计算AICF的结果是令人满意的，并且与多参数光学模型[13],[14]相比具有优势。
章节摘录
AICF截面的传统光学模型计算
AICF截面通常使用α粒子的光学模型来计算。在现象学光学模型的框架内（这是计算AICF截面最流行和方便的方法），通过使用复势U(r)来解决每个偏波的径向薛定谔方程，其中：
