目前,利用激光诱导的前向转移(LIFT)方法在科学和技术的各个领域中的应用日益增多,包括生物医学应用[1]。这种方法广泛用于宏观层面的3D物体制造、增材纳米制造、各种材料及功能性微器件的打印[2,3]。此外,LIFT还用于打印微生物[4],例如寻找增加微生物可培养多样性的方法,以便后续进行生物技术利用[5]。
一个有前景的研究方向是使用激光打印光致发光[6]和半导体纳米材料[7]。这为将这些功能性材料应用于光子学和半导体纳米电子学领域提供了机会,包括生产3D显示器、纳米传感器、生物纳米探针、防伪标签、太阳能电池等设备。
特别值得关注的是碲化镉(CdTe)的激光打印。由于CdTe晶体结构中存在镉空位,因此它是一种p型半导体。这些空位作为受体中心,促进了空穴的形成[8,9]。由于Cd和Te的原子序数较高(分别为48和52),且CdTe的密度为5.85 g/cm3,该化合物具有较高的光电吸收系数[10]。在可见光区域,吸收系数为5 × 105 cm?1,因此CdTe层的厚度可以减小到2 μm,从而能够吸收90%的入射光子[8]。CdTe的高熔点(约1365 K)也使其适合作为串联太阳能电池中的底层子电池[8]。碲化镉在T = 300 K时的带隙Eg = 1.5 eV,理论上可以实现高达约32%的光电转换效率,开路电压大于1 V,短路电流密度大于30 mA/cm2[13]。块状CdTe晶体及其纳米结构是多种应用中的有前景的材料。
例如,二维(2D)CdTe由于其原子级厚度和二维电子结构而具有独特的电子和光学特性[14,15]。此外,准二维CdTe纳米片可以通过特定配体的刺激实现自折叠效应,这为控制2D材料的空间形态提供了独特的机会[15]。从熔体生长CdTe结构的过程中,由于组分的强烈蒸发以及CdTe中存在多种高温多态相变,使得这一过程变得复杂[16]。考虑到这一因素以及功能性半导体元件小型化的趋势,CdTe纳米结构(如纳米线、纳米颗粒和量子点)显得最具前景。
基于CdTe的纳米线是制造紧凑、快速且灵敏的近红外(IR)探测器的理想材料,其带隙可通过工程手段调节,可在室温下工作[17]。CdTe纳米颗粒具有窄带宽、宽吸收光谱(从紫外到近红外范围)以及在水溶液和其他介质中的高光化学稳定性[18]。由于其对可见光和近红外光的高效响应,CdTe被广泛用于电化学发光检测[19]。此外,通过控制颗粒大小、掺杂剂、组成和CdTe纳米结构的形态,可以调节其多种特性[20],[21],[22]。近红外CdTe量子点在红光和近红外区域具有较高的光致发光量子产率。CdTe纳米颗粒也是IR光催化的理想结构[22]。
需要指出的是,无论是基于CdTe的微纳结构还是块状材料,都可能形成两种改性形式——立方相和六方相[16]。在块状晶体中,六方相是亚稳态的,但在纳米结构中可以稳定形成这种改性[23,24]。因此,基于CdTe的微纳结构的相组成直接影响了它们的性质及其在制造多层或多组分功能性元件中的应用领域。
鉴于上述情况,研究CdTe基纳米结构的生成过程及其各种改性的形成具有实际意义。
本工作的目的是开发一种使用商用纳秒光纤激光源制备CdTe基微纳结构的方法,并验证其性质并分析所得样品的结构。