氢能作为一种高效且可再生的清洁能源,具有广泛的应用前景[1]。在全球致力于减少碳排放的背景下,质子交换膜燃料电池(PEMFCs)凭借其高能量密度和无污染特性,在向低碳经济转型中不可或缺[2]。其中,质子交换膜(PEM)作为PEMFC的核心组件,在一定程度上决定了其性能[3,4]。目前,杜邦公司开发的Nafion?等全氟化PEMs在PEMFC中应用最为广泛,因为它们具有高质子导电性和化学稳定性[6,7]。然而,生产与制备成本高、环境污染以及甲醇渗透性高等问题仍然存在。部分氟化[8,9]或非氟化聚合物[10,11]也可用于PEM,以降低成本和减少环境污染,但它们的质子导电性相对较低[12],[13],[14]。值得注意的是,磺化聚醚醚酮(SPEEK)作为非氟化聚合物的重要代表,显示出巨大的潜力。磺酸基团的排列形成了不连续的质子传导路径,这一结构特征使SPEEK成为研究质子传输通道形成机制的理想平台。
为了提高综合性能,常使用纳米填料来增强孔隙率并提供机械支撑[15]。形成的氢键网络可以提高其整体质子导电性[16]。在各种填料中,金属有机框架(MOFs)因其高比表面积、高孔隙率[20]和高度可调的结构[21]而被广泛用于气体吸附[17]、气体分离[18]、催化和传感[19]等领域。它们也被应用于PEM领域以提高质子导电性[22],[23],[24],其中UiO-66是最广泛研究的MOFs材料之一[25,26]。UiO-66制备简便、操作稳定性优异且孔结构明确,适合与SPEEK结合制备PEM。这种集成使得可以系统地研究MOF构建的质子传输路径对质子导电性的影响。
通常采用两种方法来提升掺杂MOF的PEM性能:质子源的引入或质子跳跃位点的排列。Sun等人[27]开发了GO包覆的磺化UiO-66填料,在SPEEK复合材料中实现了0.268 S cm?1(70°C,95% RH)和16.57 mS cm?1(100°C,40% RH)的质子导电性,并同时增强了机械强度和阻隔甲醇的能力。Wu等人[28]引入了高含量的离子液体,其中的咪唑基团可作为质子跳跃位点,使质子能够在MOFs的通道中迁移。Wang等人[29]制备了CA/UiO-66-NH2共键纳米填料与磺化聚砜混合,得到了在80°C和100% RH条件下质子导电性为0.196 S cm?1的有序排列的PEM。此外,还研究了酸和碱的协同效应。包括酸碱配对的MOFs[30]和氨基磺酸功能化的NUS填料[31]在内的多功能改性策略也展示了协同的导电性提升效果。Li等人[32]通过引入磷酸的PVP-UiO-66-NH-SO3H/SPEEK杂化物进一步优化了质子传输网络。
添加各种官能团以及改进膜结构确实能在一定程度上提升PEMs的综合性能。然而,即使严格调控合成过程,许多MOFs仍存在结构缺陷或在后处理或应用过程中产生的缺陷[33]。MOFs可以通过形成结构缺陷来优化孔结构并暴露金属中心位点,从而增强质子载体的浓度和迁移性[34]。缺陷结构的数量显著影响其质子传导性能。例如,Taylor等人[23]在合成过程中向前驱体中引入单羧酸,调节了UiO-66中缺陷结构的形成,从而在高湿度条件下使质子导电性提高了近三个数量级。Liu等人[35]制备了有缺陷的UiO-66,在100°C和98% RH条件下实现了3 × 10?2 S cm?1的质子导电性。这些缺陷产生的酸性位点进一步促进了氨分子的化学吸附,使导电性提升至1.04 × 10?1 S cm?1。这些研究表明,低浓度的调节剂产生的有限数量缺陷有助于形成稳定、高性能的MOF结构。此外,缺陷位点还可以作为路易斯酸位点,促进水分子的吸附和保留。
因此,研究缺陷对PEMs整体导电性的影响是有趣且重要的。本文采用了一种简单且低成本的MOFs改性方法,即缺陷工程[36]。该方法替代了传统的复杂改性方法,仅需要简单的后合成热处理。传统的UiO-66通过连接剂与对苯二甲酸结合形成稳定的Zr金属簇[37,38],可以通过模板剂方法[39]和后合成改性方法[40]承受大量缺陷,从而获得结构稳定的缺陷MOFs。这种处理可以形成具有暴露酸性位点的可控连接剂缺陷[41],而不破坏其晶体结构。改进的酸活性[42]和增加的接触位点数量有利于质子传导,缺陷的类型以及有效/缺陷连接剂的数量[35,43]也可以被确定和量化。
在本文中,将反式-1,4-环己烷二羧酸与1,4-二羧基苯混合,制备了具有可控缺陷密度的缺失连接剂UiO-66,通过调整两种混合连接剂的比例可以精确调节缺陷密度。首次研究了不同缺陷密度的非功能性Zr基UiO-66对PEM性能的影响。通过调节MOFs中的缺陷来调控复合膜的亲水性、孔径和填料分布,形成了有效的质子传导网络,并对其整体性能进行了表征。研究发现,S/deU-2在70°C时的质子导电性最高(146.45 mS cm?1),比原始SPEEK高54.5%,比负载了双功能化UiO-66(NUS)的膜高18.9%,表明具有适当缺陷密度的deU-2构建的质子传输通道有助于形成更有效的氢键网络。总之,在SPEEK中制备缺陷MOFs有望制备出成本低廉、性能优异的PEM,这归因于通道构建机制和界面协同作用。