智能电子设备的快速发展对下一代能量存储系统提出了越来越严格的要求[1],[2],[3]。超级电容器以其高功率密度、长循环寿命和卓越的安全性而著称,可以成为商用锂离子电池的强大补充[4],[5],[6],[7]。然而,它们的广泛应用受到传统电极材料相对较低能量密度的根本限制[8],[9],[10]。因此,开发具有更高能量密度的改性电极材料变得至关重要[11],[12],[13],[14],[15]。
伪电容性过渡金属氧化物(TMOs)由于具有高的理论比电容和快速的表面氧化还原动力学,一直在超级电容器电极材料的研究中处于领先地位。近年来,相关研究表明,通过缺陷工程和其他方法[18]构建分层结构和纳米结构[17]以获得高电化学可及表面积对于加速离子扩散至关重要,这可以有效解决能量密度与功率密度之间的权衡问题。同时,前沿研究强调,由于固有的高表面吉布斯自由能,电极材料纳米颗粒的聚集仍然是限制活性位点利用效率的瓶颈[19],[20]。在这方面,将TMOs与导电框架结合已成为主流策略[21],[22]。通过这两种组分的协同作用,可以有效抑制聚集现象,并在高倍率条件下提高电子导电性和稳定特定形态[23]。
在各种TMOs中,镍锰双金属氧化物特别具有吸引力,因为它们环保、天然丰富、成本低廉,并且与单金属氧化物相比,具有更丰富的Ni3+/Ni2+和Mn4+/Mn2+氧化还原反应[24],[25]。然而,它们的实际应用受到内在限制,如导电性差、机械稳定性不足以及上述纳米颗粒聚集问题[26],[27]。石墨烯的出现为其提供了发展高性能双金属氧化物电极的有希望的平台。氧化石墨烯(GO)可以作为金属氧化物纳米片可控生长和均匀沉积的理想基底,有效防止其聚集。随后的热还原将GO转化为还原氧化石墨烯(rGO),后者保持层状结构的同时提供优异的导电性。这两种组分的协同组合有望克服各自的缺点,产生性能超过各组分总和的复合材料[28],[29],[30]。
尽管rGO与其他导电框架的复合材料可以有效缓解镍锰氧化物的固有局限性,但在电极制备过程中仍存在界面结合弱和形态设计缺陷等问题。这些限制容易导致层间堆叠,难以维持分层孔结构,从而降低比表面积并阻碍离子传输。因此,合理设计和制造稳定、均匀且紧密结合的镍锰氧化物/石墨烯复合结构以最大化协同效应仍是一个关键挑战。具体来说,精确控制复合材料中双金属氧化物的负载量、形态和界面相互作用,以优化电荷存储动力学和结构稳定性,还需要进一步探索。
本文报道了一种多层NiMnO3@rGO复合电极材料的可控合成方法,其中镍锰双金属氧化物纳米片均匀锚定在大面积rGO的表面。核心设计原则在于优化NiMnO3与rGO的质量比,以充分利用高导电性rGO网络和NiMnO3纳米片上众多氧化还原活性位点之间的协同作用。在最佳负载比下,该复合电极在1 A g-1电流密度下表现出529.9 F g-1的高比电容。此外,使用NiMnO3@rGO复合材料作为正极、BCN材料作为负极组装的不对称超级电容器(ASC)设备具有2.2 V的宽电压窗口、40.3 Wh kg-1的高能量密度以及10000次循环后94.6%的电容保持率。这项工作提出了一种多层电极结构的新设计策略,为开发高能量密度的超级电容器奠定了基础。