通过双重钝化晶体晶格和晶界处理,成功制备出高效性能的碳基CsPbI?Br钙钛矿太阳能电池

《Electrochimica Acta》:Dual Passivation of the Crystal Lattice and Grain Boundaries achieves Highly Efficient Carbon-Based CsPbI 2Br Perovskite Solar Cells

【字体: 时间:2026年02月16日 来源:Electrochimica Acta 5.6

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  通过引入Cd(acac)?添加剂,同时钝化CsPbI?Br体相缺陷和晶界缺陷,形成更致密的钙钛矿薄膜,并优化能级匹配SnO?电子传输层,制备的碳电极基无空穴传输层器件在30天内保持94%的初始PCE,实现最高14.78%的功率转换效率,1.27V的开路电压和80.36%的填充因子。

  
江东斌|高琳|邱晓松|李文静|杜振波|吴吉怀|张兰
福建厦门华侨大学材料科学与工程学院,361021,中国;

摘要

CsPbI2Br钙钛矿晶格中存在大量的结构缺陷、晶界和界面,这些缺陷会导致能量损失和能带偏移,从而限制了光伏转换效率(PCE)。本文重点研究了如何在CsPbI2Br钙钛矿的光吸收层的晶格内部和晶界同时钝化这些结构缺陷。通过引入Cd(acac)2添加剂,Cd2+较小的离子半径使其能够进入钙钛矿晶格填补Pb2+的空位,而较大的乙酰丙酮酸根(Acac?)离子则与钙钛矿晶界处未配位的Pb2+形成强键。这种双重作用机制同时钝化了晶格内的缺陷和晶界处的缺陷,促进了更致密的CsPbI2Br钙钛矿薄膜的形成。此外,Cd(acac)2的引入还可以调节CsPbI2Br光吸收层的能级,使其更好地匹配SnO2电子传输层的能级,从而减少传输过程中的载流子复合。这种方法从晶格和晶界两个角度有效缓解了CsPbI2Br钙钛矿薄膜的结构缺陷。制备的无需空穴传输层的碳电极基Cd(acac)2-CsPbI2Br太阳能电池最终实现了14.78%的最大PCE,开路电压为1.27 V,填充因子为80.36%。

引言

无机卤化物钙钛矿太阳能电池(PSCs)已成为研究的热点,它们在高功率转换效率(PCE)、低成本生产潜力(通过低温工艺)以及无需空穴传输层方面实现了最佳平衡[[1], [2], [3], [4]]。尽管在制造工艺和组件优化方面取得了进展[[5], [6], [7]],但PSCs的性能仍受到从内部产生的非辐射复合效应的根本限制。晶格中的缺陷、晶界处的缺陷、卤化物空位以及未配位的Pb2+离子充当非辐射复合中心,这些缺陷会降低光伏参数,如填充因子(FF)和开路电压(VOC),从而限制了PCE [8,9]。因此,缺陷钝化已成为研究的重点。分子钝化策略旨在从源头上抑制这些非辐射过程,为同时提高VOC、短路电流密度(JSC)、FF和PSCs的稳定性提供了可行的方法[[10], [11], [12]]。
基于我们之前关于镉卤化物热扩散的研究以及CdAc2添加剂的使用,发现Cd2+离子、卤化物离子和乙酸根(Ac?)离子可以进入CsPbI2Br晶格,钝化Pb2+和I?的空位[13,14]。例如,Faranak等人使用基于乙酸根的离子液体作为添加剂来调控CsPbI2Br薄膜的晶体生长,实现了83%的填充因子(FF)和15.6%的功率转换效率(PCE)[15]。Ren等人在Pbl2溶液中预先加入少量CdAc2,形成纳米通道阵列薄膜,促进了有利的晶体取向并抑制了非辐射复合。结果,他们的单结柔性PSCs的PCE达到了22.78%,而基于CdAc2的钙钛矿/硅串联太阳能电池的PCE达到了29.25% [16]。然而,关于钙钛矿界面缺陷钝化的研究仍然有限。金属乙酰丙酮酸盐中的乙酰丙酮酸根(Acac?)阴离子含有氧孤对,使其成为钝化未配位Pb2+离子的潜在改性剂。例如,Chen等人使用一系列金属乙酰丙酮酸盐(Macac,M=钛(Ti)、锆(Zr)和铪(Hf)作为阴极界面层,实现了稳定且高性能的PSCs [17]。这些Macac化合物产生偶极效应,有效降低了界面能垒,增强了电子提取,从而形成了高效的阴极界面。Yang等人将钐乙酰丙酮酸盐(Sm(acac)3)加入CsPbI2Br中制备钙钛矿薄膜。结果表明,Sm3+离子不仅部分取代了Pb2+位点,导致钙钛矿晶格略微收缩,还调控了钙钛矿晶粒的生长。结果表明,掺杂浓度为0.15 mol%的Sm(acac)3的CsPbI2Br PSCs表现出更好的光伏性能,最大PCE达到了12.86% [18]。Wang等人将铝乙酰丙酮酸盐加入钙钛矿前驱体溶液中,通过减少多晶薄膜中的微应变来提高晶体质量。这种方法还消除了晶界附近的载流子复合中心,降低了非辐射复合率 [19]。Li等人引入Acac和溶剂酐来调节钙钛矿结晶并减轻缺陷。这一过程形成了晶粒较大、界面密度较低的钙钛矿薄膜,有效抑制了缺陷的形成并提高了表面疏水性 [20]。Wang等人用铜乙酰丙酮酸盐(Cu(acac)2)处理钙钛矿界面作为钝化剂。由于强螯合作用,形成的疏水复合物自密封了晶界,有效抑制了水分侵入并提高了操作稳定性 [21]。因此,基于Acac的化合物的引入是一种提高PSCs整体光伏性能的有前景的策略。
在本研究中,我们将镉乙酰丙酮酸盐(Cd(acac)2)引入CsPbI2Br钙钛矿前驱体溶液中。较小的Cd2+离子可以进入晶格填补Pb2+空位,并与卤化物离子形成更强的Cd-X(X=I,Br)键。由于其较大的半径(3.4 ?)相对于Br?(2.0 ?)和I?(2.2 ?),富含氧的Acac?阴离子不太可能进入CsPbI2Br晶格。相反,它倾向于与晶界处未配位的Pb2+离子配位,从而钝化晶界缺陷 [18]。因此,缺陷得到了全面的钝化,从晶格内部到晶界,促进了结晶性的提高、晶粒更紧密的排列以及薄膜中晶界密度的降低。这一策略还调节了CsPbI2Br的能级,使其更好地与SnO2电子传输层(ETL)的能级对齐,抑制了载流子复合并增强了电荷提取。因此,Cd(acac)2-CsPbI2Br PSCs的PCE达到了14.78%,开路电压为1.27 V,填充因子为80.36%。在室温空气(相对湿度15-20%)中储存30天后,未封装的Cd(acac)2-CsPbI2Br PSCs仍保持了初始PCE的94%。

结果与讨论

首先,对原始CsPbI2Br薄膜和添加了Cd(acac)2的CsPbI2Br薄膜进行了X射线衍射(XRD)表征,以研究Cd(acac)2添加剂对CsPbI2Br结晶性的影响。结果如图1c所示。原始CsPbI2Br薄膜显示出两个钙钛矿晶体的衍射峰,分别位于大约14.90°和29.70°,对应于立方CsPbI2Br相的(100)和(200)平面 [22,23]。然而,随着...

结论

总之,将Cd(acac)2引入CsPbI2Br前驱体中,通过Cd2+和Acac?实现了双离子调控。较小的Cd2+离子进入Pb2+空位,与卤化物形成更强的Cd-X(X=I,Br)键。较大的Acac?离子由于空间位阻而驻留在晶界处。富含氧孤对的Acac?离子优先螯合晶界处的未配位Pb2+,从而实现了CsPbI2Br内部缺陷的多方向钝化

数据可用性

数据可应要求提供。

CRediT作者贡献声明

江东斌:方法学、研究、数据分析。高琳:撰写——初稿。邱晓松:资源获取、数据管理、概念构思。李文静:验证、软件应用。杜振波:可视化、验证。吴吉怀:项目管理、资金筹集。张兰:撰写——审稿与编辑、项目管理、资金筹集。
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