Heusler合金是一类特殊的金属间化合物,具有广泛的电子和磁性质[1],[2],[3],[4],[5],因此被应用于热电器件[6],[7],[8],磁热效应[9],[10],形状记忆能力[12]以及自旋电子器件[14]等领域。大量研究表明,这类化合物具有半金属铁磁性(HMF),即在费米能级EF处,一个自旋方向的电子表现为金属特性,而另一个自旋方向的电子表现为半导体特性(如图1(a)所示的能带图所示)。另一类材料被称为无自旋能隙半导体(SGS),其自旋态密度图(参见图1(b))显示两个自旋通道都呈现半导体特性,其中一个自旋通道具有较高的带隙,而另一个自旋通道在费米能级处带隙为零。因此,在HMF中,主要的载流子是自旋极化的电子;而在SGS中,载流子是自旋极化的电子和空穴[2],[4]。
因此,探索具有SGS特性的材料对于自旋电子应用来说仍然是一个非常重要的研究课题。对于Heusler合金而言,通常具有最高自旋极化的晶体结构最为理想。其中,表现出半金属铁磁性的材料[1],[15],[16],[17]以及SGS行为的材料[18],[19]特别适用于下一代自旋电子器件[20],[21],[22],[23]。具有HMF或SGS特性的Heusler化合物在自旋电子器件中有着广泛的应用,包括隧穿磁阻(TMR)传感器、自旋阀、高密度磁存储器和基于自旋的晶体管[31]。然而,这些材料的自旋极化程度对其内部结构有序性非常敏感[32],[33],[34],[35],[36]。
具有潜在自旋电子应用潜力的全Heusler三元金属间化合物通常遵循X2YZ的化学计量比,其中X和Y是过渡元素,Z是主族元素。这些化合物最常见的晶体结构是高度有序的L21结构。此外,许多等原子量的四元Heusler化合物(如XX'YZ)也被研究其SGS行为和自旋电子应用的可能性[18],[22],[24],[25],[26],[27],[28]。这类化合物通常是通过用另一种过渡元素X'替换X2YZ中的一个X元素来实现的,使得整个化学计量比变为1:1:1:1[29],[30]。由于添加了新的过渡元素X',化合物的晶体结构从L21有序结构转变为新的LiMgPdSn结构(空间群编号216,F-43m)。在这种结构中,Z原子位于4a(0,0,0)Wyckoff位置,其余三个元素——两个X原子(X和X')和一个Y原子分别分布在三个不同的fcc子晶格中,具体位于4b(1/2,1/2,1/2)、4c(1/4,1/4,1/4)和4d(3/4,3/4,3/4)Wyckoff位置。无论单元格发生何种平移运动,晶体结构都不会改变。通过单位格内的分数平移(如(1/4,1/4,1/4)、(1/2,1/2,1/2)或(3/4,3/4,3/4),虽然原子位置会发生变化,但整体结构保持不变。
理论上预测FeCrTiAl是一种无自旋能隙的半导体,具有最有序的Y结构(参见图1c),每个化学计量单位的总磁矩为3μB,这是根据Slater-Pauling规则确定的。与HMF相比,SGS的半导体特性使其电子结构对原子无序和外部因素(如温度、压力和磁场)非常敏感。因此,Lukashev等人[37]利用密度泛函理论(DFT)研究了FeCrTiAl在压力作用下的能带结构转变,发现其从半金属态转变为无自旋能隙半导体(SGS)态。
本研究首次详细探讨了理论上预测具有最有序(Y)结构的FeCrTiAl的结构和磁性质。此外,本研究还研究了用钴替代FeCrTiAl中Ti位点的影响,从而获得了关于其结构和磁性质的新见解。重要的是,这项工作还利用57Fe基穆斯堡尔光谱技术提供了关于原始FeCrTiAl和掺钴FeCrTiAl中Fe原子周围局部结构和磁性质的见解。