Sn2+掺杂的PbBi2Nb2O9中的结构-性能关系:迈向可调谐的介电和光学特性

《Materials Science in Semiconductor Processing》:Structure-property relationship in Sn2+-doped PbBi 2Nb 2O 9: Toward tunable dielectric and optical characteristics

【字体: 时间:2026年02月17日 来源:Materials Science in Semiconductor Processing 4.6

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  采用熔盐法成功制备了Pb1-xSnxBi2Nb2O9(x=0.025,0.05,0.075)陶瓷,XRD和Rietveld精修显示其单相正交A2am结构,Sn2+优先占据A位,导致NbO6八面体畸变和离子位移增大,介电常数从949增至1149,带隙缩小至2.56eV,载流子浓度提升。SEM显示各向异性 plate-like 晶粒,XPS证实Sn2+存在并影响元素化学态。

  
Nurul Pratiwi|Yulia Eka Putri|Tio Putra Wendari|Andon Insani|Zulhadjri
印度尼西亚万隆安达拉斯大学数学与自然科学学院化学系,邮编25163

摘要

采用熔盐法成功合成了Pb1-xSnxBi2Nb2O9陶瓷(其中x = 0.025、0.05和0.075)。X射线衍射(XRD)分析确认所有样品均结晶为单相Aurivillius结构,属于正交晶系A21am空间群。通过对中子粉末衍射数据的Rietveld精修分析发现,Sn2+阳离子倾向于占据钙钛矿的A位点,而Pb2+和Bi3+则分布在钙钛矿A位层和Bi2O2层之间。拉曼分析表明Sn2+的掺入间接影响了Nb–O键的振动。随着Sn2+浓度的增加,由于NbO6八面体的畸变加剧以及钙钛矿层内离子位移增大,单元格的正交性增强。X射线光电子能谱(XPS)用于分析化学价态和元素组成,证实了Sn2+的存在,并揭示了其对各元素结合能的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像显示样品具有片状晶粒形态,且随着Sn2+浓度的增加,晶粒尺寸逐渐增大。介电常数随x值的增加而提高,从x = 0.025时的949增加到x = 0.075时的1149,同时光带隙从2.6 eV降至2.56 eV,表明载流子活性增强。因此,Sn2+的掺杂改善了材料的介电和光学性能。

引言

近年来,铁电材料作为潜在的铁电光伏(FEPV)应用材料受到了越来越多的关注,这主要是由于对可再生和环保能源的需求推动[[1], [2], [3], [4]]。在这些材料中,光生载流子通过铁电材料内部的退极化场分离,从而减少了电子-空穴复合的可能性。此外,光伏响应无需多个结结构即可实现[5,6]。光伏性能可以根据极化强度进行调控[7]。在铁电材料中,Aurivillius相因其固有的铁电性、剩余极化、较低的漏电流密度以及较高的抗疲劳性而特别值得关注[8]。不幸的是,大多数Aurivillius相材料的带隙较宽(Eg),使其位于可见光谱之外,因此仅约8%–20%的太阳光谱可用于直接光伏转换[9]。为了提高吸收阳光的能力并提升FEPV效率,调整带隙和增强铁电性能至关重要[10]。
已有多种方法用于制备Aurivillius相,如固相法、水热法、溶胶-凝胶法、球磨法和共沉淀法[[11], [12], [13]]。每种方法都有其优势和局限性。通常通过固相反应法合成Aurivillius相。然而,高合成温度容易导致Bi3+挥发,因此需要向起始材料中添加过量的Bi2O3. 相比之下,熔盐法具有诸多优势:使用Na2SO4/K2SO4等盐类作为反应介质,可以降低合成温度、加快离子扩散速度并提高反应速率[14,15]。
PbBi2Nb2O9(PBO,n = 2)这种双层Aurivillius化合物采用非中心对称晶体结构,属于A21am空间群,由钙钛矿层(An?1BnO3n+12?夹在两个铋层(Bi2O2)2+之间[c轴方向]。在此结构中,n表示单元格中钙钛矿层的数量;A位点由单价、二价或三价阳离子(如Pb2+和Bi3+)在十二面体配位中占据,而B位点则由过渡金属阳离子(如Nb5+)在八面体配位中占据[18]。PBO是一种在室温下稳定的铁电材料,具有较高的相变温度(Tc = 557°C)、高介电常数、强剩余极化以及低矫顽场[19]。尽管PBO化合物被认为是FEPV应用的有希望的候选材料,但由于Pb2+阳离子的毒性问题,其实际应用受到限制。相比之下,Sn2+因其电子结构和晶格特性与Pb相似,成为更可行的替代品[20]。
Sn2+离子的掺入替代了A位点中的Pb2+离子,由于Sn2+的离子半径较小且5s2电子具有孤对效应,导致B6结构发生畸变,从而破坏了反演对称性,进而改善了介电和铁电性能[19,21,22]。Sn2+的掺入预计会增加A-O键两侧的电子密度,提高电荷转移效率,尽管氧化还原活性物种的可用性有限,但仍能改善样品的电导率[12,14,15]。Sn2+还通过系统调节光谱峰位和强度,使其光学响应向可见光区域优化[25]。这种改性增强了电荷传输,提高了可见光范围内的吸收率和折射率,同时保持了紫外区域的高反射率和介电响应,从而展示了其在FEPV和高能量光子应用中的潜力[[26], [27], [28]]。Pritam等人报告称,在Sr1-xSnxBi1.95La0.05Nb2O9(SSBLN)中掺入Sn2+后,带隙能量从x = 0时的2.81 eV降低到x = 0.2时的2.55 eV[24]。此外,Sn掺杂剂引入了自由载流子,增加了载流子浓度,有效降低了电阻率[29]。Sn2+掺杂浓度从NiO的16.28 nA增加到Sn10%-NiO的25.09 nA[27]。由于Sn2+的离子半径较小且具有立体活性的5s2孤对,其掺入能够增强晶格畸变,从而同时提高铁电和电学性能。Sn2+的掺入显著提高了FEPV的功率转换效率(PCE),达到了8.95%,而未掺杂的CsPbBr3钙钛矿的PCE仅为6.87%[30]。
尽管先前的研究报道了Sn2+掺杂能够改善电学和光学性能,但关于Sn2+掺杂如何改变Sn2+-doped PbBi2Nb2O9的结构-性能关系的系统理解仍不充分。本研究首次对其成分进行了评估,并为其作为铁电光伏(FEPV)材料的潜力提供了支持。本文详细探讨了Sn2+掺杂对Pb1-xSnxBi2Nb2O9陶瓷(x = 0.025、0.05和0.075)的结构、微观结构、光学吸收率和介电性能的影响。据我们所知,用于制备这些化合物的熔盐法此前尚未被用于这种成分的研究。图1展示了制备过程的示意图。样品分别标记为PBO-Sn25(x = 0.025)、PBO-Sn50(x = 0.05)和PBO-Sn75(x = 0.075)。

实验方法

采用熔盐法制备了双层Aurivillius样品PBO-Sn25、PBO-Sn50和PBO-Sn75,使用了K2SO4/Na2SO4作为反应介质。以乙醇为液体介质,将PbO、SnO、Bi2O3和Nb2O5(Aldrich,≥99.9%)按化学计量比混合并研磨成粉末。随后,将氧化物混合物与K2SO4/Na2SO4盐(Aldrich,≥99%)以1:1和1:7的摩尔比混合。混合物放入氧化铝坩埚中加热至指定温度

结果与讨论

图2展示了不同Sn2+掺杂摩尔组成的PBO-Sn25、PBO-Sn50和PBO-Sn75样品在室温下的XRD图谱。所有衍射峰都与原始PbBi2Nb2O9相的标准XRD图谱(ICSD-50425)相匹配,说明形成了单相Aurivillius结构。XRD数据中未出现次要相峰,表明形成了双层Aurivillius相(n = 2),其中(115)面是所有样品中最强的衍射峰

结论

采用熔盐法成功合成了双层Aurivillius化合物Pb1-xSnxBi2Nb2O9(x = 0.025、0.05和0.075)。X射线衍射(XRD)确认了其单相正交晶系A21am空间群结构。Pb2+和Bi3+阳离子同时占据钙钛矿的A位点和Bi2O2层,但所有Sn2+阳离子都占据了钙钛矿的A位点。Sn2+离子的加入间接影响了B6八面体的局部环境

CRediT作者贡献声明

Nurul Pratiwi:撰写初稿、方法学设计、实验研究、数据分析。Yulia Eka Putri:审稿与编辑、结果验证、方法学设计、数据分析。Tio Putra Wendari:方法学设计、实验研究、数据分析。Andon Insani:结果验证、方法学设计、数据分析。Zulhadjri:审稿与编辑、结果验证、资源管理、项目协调、概念构思。

利益冲突声明

作者声明不存在可能影响本文研究的已知财务利益或个人关系。

致谢

本工作得到了印度尼西亚共和国教育、文化、研究和技术部的支持,该支持基于PMDSU(优秀毕业生硕士教育至博士项目)研究计划[授权编号:041/E5/PG.02.00. PL/2024]
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