界面驱动、能量无关的电荷提取:Pt修饰GaN光催化剂中超快电子转移新机制

《Nature Communications》:Interface-driven energy-independent charge extraction in GaN photocatalysts

【字体: 时间:2026年02月19日 来源:Nature Communications 15.7

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  光催化效率受制于载流子复合与界面传递动力学。为解决此问题,研究人员在GaN催化剂表面修饰Pt纳米粒子,通过时间分辨双光子光电子能谱等技术,揭示了~50 fs的超快、能量无关的电子转移新通路,并发现光诱导动态能带平整化促进了体相到界面的电荷分离,显著提升了光电化学性能。该研究为理性设计高效光催化体系提供了深刻见解。

  
太阳光照在我们身上,是能量的馈赠。然而,人类若要高效地利用太阳能驱动化学反应,比如分解水制取氢气,就需要一种特殊的“捕手”——光催化剂。光催化剂的核心使命,是吸收光能,产生具有高能量的电子和空穴(正电荷载流子),并驱使它们分别奔向催化剂表面的不同“站点”参与氧化还原反应。理想是丰盛的,现实却充满挑战。一个主要瓶颈在于,光生电荷“兄弟俩”在诞生后,往往还未来得及奔赴各自的“战场”就重新复合,或者在半路被各种“陷阱”捕获,导致能量白白耗散。这个过程发生在皮秒(万亿分之一秒)甚至飞秒(千万亿分之一秒)的超快时间尺度,尤其在金属与半导体复合的复杂界面上,其能量演化和转移路径更是犹如一团迷雾。理解并调控这些超快的电荷动力学,是提升光催化效率、迈向实际应用的关键。
氮化镓(GaN)作为一种明星半导体材料,因其合适的能带结构,在光催化领域展现出巨大潜力。但单纯的GaN同样面临电荷快速弛豫和表面复合的难题。为解开界面电荷动力学的神秘面纱,并为设计更高效的光催化系统提供指导,一个研究团队在《Nature Communications》上发表了一项突破性工作。他们没有采用传统的金属纳米颗粒作为“助催化剂”的笼统思路,而是深入微观世界,利用尖端的时间分辨光谱技术,像用“超高速相机”一样,直接“拍摄”了光生电子在GaN表面及其与铂(Pt)复合界面上演化的全过程,并揭示了一种全新的、高效的电荷转移机制。
研究人员综合运用了时间分辨双光子光电子能谱(time-resolved two-photon photoemission spectroscopy, TR-2PPE)、瞬态吸收光谱等先进表征技术,并结合光电化学测试,系统研究了裸GaN和Pt修饰GaN(Pt/GaN)模型体系的超快电荷动力学。其中,TR-2PPE技术能够以飞秒级的时间分辨率和高能量分辨率,同时追踪光生电子的能量位置与数量随时间的变化,是解析复杂界面电子过程的有力工具。
表面态陷阱与快速热化
研究首先揭示了裸GaN表面的电荷命运。光激发产生的高能电子,在约100飞秒内迅速“冷却”或热化至导带底(conduction band minimum, CBM)。然而,这些电子并未安稳地停留在导带等待参与反应,而是在亚皮秒(<1 ps)时间尺度内,被与氮空位相关的表面缺陷态所捕获。这些表面态就像电子前进道路上的“陷阱”,限制了可用于表面催化反应的电子数量,是导致GaN光催化效率不高的内在原因之一。
Pt引入的能量无关超快转移通路
当在GaN表面修饰上Pt纳米粒子后,电荷的命运发生了戏剧性的转变。TR-2PPE数据显示,Pt的引入显著抑制了上述氮空位相关表面态的电子捕获过程。更重要的是,研究人员发现了一条全新的电子转移路径:光生电子从GaN的导带底,以极快(约50飞秒)的速度转移到Pt上。尤为关键的是,这条转移通路是“能量无关”的,意味着无论电子初始能量高低,只要到达导带底附近,都能通过此通道高效地转移至Pt。这打破了传统上认为界面电荷转移速率强烈依赖于载流子能量(即需要克服一定势垒)的固有认知。
光诱导动态能带平整化促进体相-表面传输
通过精心设计的泵浦-探测(pump-probe)实验配置,研究团队成功地将界面电荷转移过程与材料内部的电荷弛豫机制区分开来。他们进一步发现,Pt的修饰不仅提供了高效的界面转移出口,还通过一种“光诱导动态能带平整化”效应,影响了GaN体相内部的电荷传输。在光照下,Pt/GaN界面区域的能带结构发生动态调整,变得更加平缓,从而削弱了内部电场对电子的驱散作用,使得来自GaN体相更深处的电子也能在皮秒时间尺度内被有效地输运到表面,并与Pt结合。这相当于在电子从“诞生地”(体相)到“出口”(Pt界面)的路上,铺平了道路,减少了阻力。
性能提升与机制验证
这些对超快动力学的深刻调控,直接转化为了显著增强的光电化学性能。实验表明,Pt/GaN样品的光电流响应相比裸GaN有了大幅提升。电荷分离效率的提高和界面电荷转移电阻的降低,从宏观性能上印证了超快光谱所揭示的微观机制。
综上所述,这项研究通过界面工程,在Pt修饰的GaN光催化体系中,实现了对超快电荷动力学的有效调控。其主要结论是:首先,明确了裸GaN表面氮空位缺陷是导致光生电子快速捕获、限制其参与反应的关键因素。其次,发现了Pt修饰能抑制这些表面陷阱,并开辟出一条约50飞秒、能量无关的超快电子转移通道,极大地加速了界面电荷分离。最后,揭示了Pt还能通过光诱导动态能带平整化效应,促进电子从体相到表面的皮秒级传输,实现了从体内到界面的协同电荷管理。这项工作的意义在于,它超越了传统上对金属/半导体界面电荷转移的静态、热平衡描述,从超快时间尺度和能量分辨的视角,动态地揭示了界面结构如何决定电荷的最终命运。它不仅深化了对光生载流子界面依赖的弛豫与转移过程的基础理解,更重要的是,为通过理性界面设计(如调控缺陷、选择合适金属、优化界面结构)来定向操控超快电荷流、从而开发下一代高效光催化与光电极体系,提供了宝贵的理论指导和实验范例。
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