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通过协同优化带电极化的金属位点以及局部一氧化碳(*CO)浓度调控,实现了光催化还原一氧化碳(CO?)生成碳二氢(C?H?)的过程
《Journal of Colloid and Interface Science》:The synergistic optimization of charge polarized metal sites and local *CO concentration regulation achieves photocatalytic reduction of CO 2 to produce C 2H 4
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年02月21日 来源:Journal of Colloid and Interface Science 9.7
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光催化CO2还原为C2H4的研究中,构建了三维Pd/U6S/RGO气凝胶系统,在模拟阳光下实现72.9%的C2H4选择性(4.65 μmol·g?1·h?1)。XPS显示Pd2+/Pd?界面极化调控电荷分布,抑制CO间偶极排斥,降低CO二聚化能垒;RGO气凝胶限域效应增强CO吸附,促进C-C耦合。
C耦合生成C2H4。CO温度程序脱附(CO-TPD)和CO吸附能的结果进一步表明,增强的CO吸附能力有助于提高局部*CO浓度并实现连续的C2H4产出。这项工作展示了利用带电极化金属位点选择性转化CO2为C2H4的潜力,并强调了调整局部*CO浓度以加速C
C耦合的重要性。
C耦合[5],[6]。因此,光催化CO2还原的一个关键问题是如何促进C
C耦合,同时抑制重要中间体的过早脱附。
C耦合反应的发生主要取决于催化位点与吸附中间体之间的相互作用[7],[8],[9]。这些相互作用的强度最终决定了反应的选择性,决定了中间体是作为C1产物脱附还是参与进一步耦合形成多碳产物。通常,相邻位点上吸附的C1中间体具有相似的电荷分布,这会导致空间位阻和偶极-偶极排斥[10]。这种排斥阻碍了它们在相邻位点上的吸附,并抑制了C
C耦合,使得关键中间体倾向于脱附而不是形成C2H4(图1a)。打破这种电荷分布的对称性可以减少偶极-偶极排斥,从而促进C
C耦合(图1b)。Sun等人报告称,在NiS2纳米片中掺入Co可以生成强极化的Ni2+–Niδ+双位点,导致吸附的CO物种内部电荷分布不对称。这种极化减轻了偶极-偶极排斥,使乙烯的选择性达到74.3%,活性为70?μg·g?1·h?1[11]。Kang等人报告称,晶格氯掺杂可以调节Cu2O的表面电荷分布,产生不对称的电荷分布,从而降低C
C耦合的能垒并促进C2+产物的形成[12]。这些发现表明,工程化带电极化的金属位点提供了一种有效的方法来调节偶极-偶极相互作用并促进C
C耦合反应。(见图2。)
C耦合对于C2H4的形成至关重要,但提高C2H4的选择性仍然是一个紧迫的挑战。一个关键因素是增加活性位点附近的局部*CO浓度,以促进C
C耦合反应[13],[14],[15]。较高的*CO覆盖率增加了CO分子在催化剂表面相遇的概率,从而有利于C2H4的形成。例如,Wang等人证明CuSe/AuX光催化剂通过富集CuSe表面的CO中间体来提高C2H4的选择性[16]。同样,Tian等人报告称Sv-CdS@ZIF-8核壳结构可以将CO2转化为CO和C2H4[17]。由于ZIF-8壳层的限制效应,CO在局部得到富集,反应能垒降低,使C2H4的选择性从8.2%提高到12.8%。受这些发现的启发,我们设想一种结合了带电极化金属位点和*CO富集的光催化剂可以提供一个多维度优化的反应环境,以实现高效的CO2-to-C2H4转化。
C耦合;然而,Pd/U6S的C2H4产率仍然有限。结合原位漫反射红外傅里叶变换光谱(in situ DRIFTS)和密度泛函理论(DFT)计算,确定CO二聚化是控制C2H4形成的关键步骤。为了进一步增强这一步骤,通过简单的化学还原方法制备了三维还原氧化石墨烯(RGO)气凝胶来包裹Pd/U6S。气凝胶的限域效应增强了光催化剂与*CO之间的相互作用,富集了局部*CO浓度,从而加速了*CO向C2H4的耦合。结果,1.4Pd/U6S/30RGO催化剂表现出约72.9?±?2.1%的乙烯选择性和4.65?±?0.23?μmol·g?1·h?1的活性。
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