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可解释的描述符:用于电化学CO2还原的Cu–N–C催化剂中与协调作用相关的活性特性
《Applied Surface Science》:Interpretable descriptors of coordination-dependent activity in Cu–N–C catalysts for electrochemical CO 2 reduction
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年02月22日 来源:Applied Surface Science 6.9
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CO2RR活性与选择性受Cu-N-C催化剂配位环境影响,DFT计算表明三配位CuX3以CO脱附为控速步骤,四配位CuX4以COOH形成为关键,(CuN2C2)2-G在0.85 eV下具有最低ΔG,同时其CO2RR选择性(1.02 eV)优于氢析出(1.09 eV),揭示配位-电子结构协同调控机制。
O键非常稳定,限制了在常温条件下的活化[8]。作为多步电子转移过程,CO2RR会产生多种产物,如一氧化碳[9]、甲烷[10]和甲醇[11],因此选择性地设计催化剂以抑制竞争反应(如氢气释放)至关重要[12]。基于Cu的催化剂能够高效地将CO2转化为C1和多碳产物,选择性受局部活性位点结构和共电解条件的控制[13]。然而,像Cu(100)这样的扩展Cu表面通常需要相对较高的过电位(通常高于0.6–0.8 V)来驱动CO2还原为CO或C1产物,因为氢气释放的竞争作用较强[14]。CO是费托合成中的关键中间体,可以在贵金属(如Au[15]、Ag[16]和Pd[17])上选择性地生成,但由于成本和稀缺性限制了其大规模应用。单原子催化剂(SACs),特别是金属-氮-碳(M–N–C)材料,能够最大化金属利用率并调节电子结构。基于Fe[18]、Co[19]、Ni[20]和Cu的SACs展示了高的CO选择性和电流密度,利用了金属位点与支撑体之间的协同效应。例如,CuN4 SACs在?1.2 V时通过平面CuN4基团实现了55.3%的乙醇产率,促进了*CO的二聚化和C–C耦合[21]。最近的研究表明,调整Cu SACs的配位环境是调节CO2RR性能的有效策略。锚定在碳支撑体上的Cu-N4位点在宽电位窗口(?0.6至?1.1 V vs. RHE)内实现了高CO选择性(>90%),确立了Cu-N4作为CO形成的代表性活性基团[22]。进一步的密度泛函理论(DFT)研究表明,配位饱和度决定了电位:饱和的Cu-N4位点通常受*COOH形成的限制,而不饱和的Cu-N3基团则受*CO脱附的限制,预测的极限电位范围为?0.86至?0.93 V[23]。对欠配位的Cu-N2或Cu-N3位点的实验研究表明,在中等过电位下CO的法拉第效率得到提高(高达约98%),突显了降低配位环境的活性优势[24]。然而,在基准Cu基系统(如Cu(1 0 0)表面或石墨烯支撑的Cu单原子)中,CO2到CO的转化通常需要相对负的应用电位(约?0.9 V或更低),且反应能量学对局部配位和电子结构非常敏感[25]。尽管已有大量实验和理论研究探讨了Cu–N–C SACs在CO2还原为CO方面的应用[24]、[25],但大多数研究集中在配位效应、反应能量学和关键中间体上;最近的理论工作进一步强调了局部配位环境在控制活性和稳定性方面的关键作用[26]。然而,异原子特性(如类型、数量和空间排列)对配位环境和反应路径的机制影响尚未完全理解。特别是,配位依赖的势能决定步骤的变化以及从孤立的单原子基团到配对的双原子构型的扩展尚未在统一的机制框架内系统地研究。为了填补这一空白,我们的研究阐明了配位基团如何调节CO2RR中的催化活性和选择性。