通过双掺杂源/漏极技术缓解电荷注入瓶颈问题，以实现高速、低电压的无电容动态存储器

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Mitigating Charge Injection Bottlenecks via Dual-Doped Source/Drain for High-Speed Low-Voltage Capacitorless Dynamic Memory

双掺杂源漏晶体管实现低电压高速度无电容DRAM，在±0.6V下达到<0.5ns延迟和~1.4fJ能量消耗，85℃时保持时间>200ms，125℃时仍保持功能，适用于嵌入式缓存和边缘计算。

　　

摘要：

本研究展示了基于热电子注入技术的编程和擦除操作的可行性，这种技术能够通过双掺杂（DD）源/漏（S/D）晶体管实现低电压、高速的无电容动态随机存取存储器（DRAM）。所提出的无电容DRAM在逻辑兼容的±0.6 V供电电压下，具有低延迟（<0.5 ns）、低功耗（约1.4 fJ）以及出色的数据保持能力（在<85°C时数据保持时间约为200 ms），同时在较高温度下仍能保持正常工作性能（在125°C时数据保持时间约为5 ms）。研究结果凸显了DD-S/D技术在高速、节能的嵌入式缓存和边缘计算中的应用价值。