基于ZrO2的AFTJ器件实现低于1.2伏的开关电压，并显著提升突触权重细胞的耐久性

《IEEE Transactions on Electron Devices》：ZrO2-Based AFTJs Enabling Sub-1.2 V Switching and Superior Endurance for Synaptic Weight Cells

【字体： 大 中 小 】 时间：2026年02月25日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2