宽禁带和超宽禁带半导体的温度依赖性击穿电压
《IEEE Transactions on Electron Devices》：Temperature-Dependent Breakdown-Voltage of Wide- and Ultrawide-Bandgap Semiconductors
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时间：2026年02月25日
来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
摘要：
这是三篇系列论文的第一篇，该系列论文分别研究了击穿电压（
