一种四阶段低噪声放大器（LNA），在0.15微米GaAs pHEMT工艺下显著提升了线性度和增益平坦度

《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》：A Four-Stage LNA With Enhanced Linearity and Gain Flatness Improvement in 0.15-μm GaAs pHEMT Process

提出了一种四阶段共源低噪声放大器设计，通过第二阶段引入线性和电阻技术解决传统偏置问题，并采用RLC反馈网络和虚拟地电容实现增益均衡。在0.15μm GaAs pHEMT工艺下，设计-I（10-47GHz）和设计-II（15-50GHz）分别达到NF<2.1dB、24dB增益、17.6dBm OP1dB和2.4dB NF、24dB增益、13.4dBm OP1dB，验证了宽频带高线性性能。

　　

摘要：

本文提出了一种四阶共源（CS）低噪声放大器（LNA），其在第二阶段采用了创新技术，实现了低噪声、高增益以及优异的线性度，并具有超宽的带宽，适用于各种射频（RF）应用。所提出的线性增强电阻（LER）技术通过提供独立的直流调节路径，克服了传统电流复用结构中的偏置问题。该技术有效提升了栅源电压，显著改善了线性度，同时对噪声系数（NF）和阻抗匹配的影响很小。此外，第二阶段采用了