压电光催化利用机械应力(如超声波或水压)与光照的协同效应,已成为大幅提升半导体材料光催化性能的有效方法[1],[2],[3]。外部施加的机械刺激会引发压电催化剂中的晶格变形,促进电子-空穴对的产生和分离,并使其迁移到不同的晶面[4],[5]。在光照条件下,光激发进一步增加了材料表面的载流子浓度。这些压电和光诱导的电荷共同参与氧化还原反应,生成目标产物[6],[7]。这种协同机制推动了压电光催化系统在有机污染物降解、绿色氢气生成、CO2还原、有机合成和肿瘤治疗等领域的应用[8],[9],[10]。然而,该技术的广泛应用仍受限于电荷复合速度过快以及传统压电材料活性较低的问题[11]。因此,开发新型高效压电光催化剂迫在眉睫。高效分离压电诱导的电荷是实现高性能压电光催化的关键,而这依赖于强电场的存在。层状铋基半导体正是理想的材料平台。
层状铋基半导体具有独特的晶体和电子结构,层间相互作用强,有利于电子的有效转移[12],[13]。Bi3+的立体化学活性孤对电子导致不对称的晶体构型,在机械激发下产生显著的压电效应。该家族中的代表性材料是Bi2MO4Cl(M = Bi, La-Lu),其采用层状结构,由Sillén型铋氧卤化物单元组成。这种结构包含[M2O2]氟石状层或三重[M2O4/Bi2MO4]氟石片层,与阴离子(卤化物/硫属化合物)和阳离子层交替排列。每个[X-M-O-Bi-X]层通过卤素桥沿c轴堆叠,形成围绕铋离子的不对称十面体配位环境[14],[15],[16]。这种独特的层状和单斜畸变结构赋予Bi2MO4Cl铁电和压电性能。先前的研究表明,通过固态反应合成的Bi2NdO4Cl是一种高效的可见光驱动压电光催化剂[17],[18],但其实际应用受限于窄的光吸收范围和光生载流子分离不足[19]。因此,开发提高Bi2NdO4Cl压电光催化效率的有效策略至关重要。
金属离子掺杂已被广泛用于提升半导体的光催化活性[20],[21]。通过引入杂质能级,金属掺杂可以有效抑制电荷复合,扩展光谱吸收范围,从而提升整体催化性能[22],[23],[24]。在各种掺杂的BiOCl体系中,Co2+、Fe3+、Zn2+、Ni2+、Cu2+和Cu掺杂因显著的效果而受到特别关注[25],[26],[27],[28],[29]。Co掺杂同时具有氧化还原活性和压电性能提升的双重优势,而传统掺杂剂通常仅能调节电子性质。例如,Wang等人发现Co掺杂的BiOCl对双酚A的光催化降解效率提高了3.5倍[30]。最新研究如Co-BiOCl@biochar纳米片[31]、Co掺杂的BiOCl超薄纳米片[32]和CQDs改性的Co-BiOCl纳米复合材料[33]进一步证明了Co掺杂对BiOCl光催化性能的增强作用。然而,现有研究主要关注电子结构的变化,对其在压电光催化中的作用关注较少。值得注意的是,Co掺杂已被证明能在ZnO纳米棒[34]和Ba0.88Ca0.12Zr0.12Ti0.88O3陶瓷[35]中引起晶格畸变,从而增强压电响应。这表明Co掺杂可能具有双重作用:不仅调整能带结构,还能通过控制晶格畸变增强压电性能。
在本研究中,我们制备了一系列通过高温固态方法合成的Co掺杂Bi2NdO4Cl催化剂,并系统评估了它们的压电光催化性能。综合结构表征和理论分析表明,Co掺杂在Bi位点引入晶格畸变,增强压电极化,并产生Co2+/Co3+氧化还原中心,促进电荷分离和迁移。此外,杂质能级的引入使材料的光吸收范围扩展到近红外区域。本研究展示了通过过渡金属掺杂同时调整能带结构和控制晶格畸变来合理设计高性能压电光催化剂的策略。