基于浓度驱动的离子传输机制，通过调控钙钛矿纳米晶体忆阻器，可以实现可靠的类神经元传感功能、逻辑门电路以及数据安全保护

《Science China-Materials》：Concentration-driven ion transport regulated perovskite nanocrystal memristors enable reliable neuromorphic sensing, logic gate circuits, and data security

Cu3SbI6纳米晶体掺杂调控PMMA复合忆阻器实现稳定双极开关（Ron/Roff>2000，循环耐久性>700次）及随机导线加密功能，为多功能集成忆阻器设计提供新策略。

　　

摘要

忆阻器通过离子迁移实现电阻切换，在仿生感知、信息安全和边缘计算领域取得了突破性进展，但在功能集成和稳定性方面存在瓶颈。本文研究了全无机Cu₃SbI₆纳米晶体（NCs）与PMMA复合忆阻器（Ag/PMMA&Cu₃SbI₆/ITO），并通过调节NCs的掺杂量（0–15 wt%）来控制其性能。这些器件利用电场诱导的Ag⁺离子迁移和导电纳米丝的动态变化进行工作，其中NCs起到局部电场增强器的作用。在4 wt%的掺杂浓度下，忆阻器实现了稳定的双极切换（R_on/R_off > 2 × 10³），循环寿命超过700次，从而可以模拟生物体的痛觉反应/巴甫洛夫反射，并构建基本逻辑门。在2 wt%的掺杂浓度下，稀疏分布的NCs会诱导随机纳米丝的形成，用于提取加密密钥，这与4 wt%的逻辑门结合使用，可以实现文本/图像数据的高效加密/解密。本研究通过调控纳米晶体浓度来控制离子传输，为多功能忆阻器的设计提供了策略，为相关功能集成和跨学科应用提供了参考。