对透明数据处理的日益增长的需求迫切需要加强信息安全,这推动了可靠信息传输技术的持续创新。[1],[2],[3],[4],[5],[6],[7],[8] 光电探测器被广泛用于通过将光信号转换为电信号来实现数据传输。[9],[10],[11],[12],[13],[14] 然而,光通信、环境监测、成像技术和安全系统的快速发展需要开发高性能的光电探测器,特别是在响应度、灵敏度和响应时间方面。[15],[16],[17],[18],[19],[20],[21],[22],[23],[24],[25] 因此,合成高质量的半导体材料对于满足这些要求变得至关重要。
异质结构工程是一种有效的策略,可以促进载流子的分离和传输,从而提高基于纳米线的光电探测器的性能,相比成分均匀的纳米线而言。[26],[27],[28],[29],[30],[31],[32],[33],[34],[35],[36] 例如,CdS/CdSxSe1-x异质结构纳米线的光电流响应大约是纯CdS器件的4倍,其响应度为118 A/W。[37] ZnSxSe1-x/ZnSe异质结构纳米线的响应度几乎是ZnSe基器件的1.5倍,其响应度为6.3 × 105 A/W。[38> 另一项研究表明,钙钛矿CsPbCl?/CsPbI?超晶格纳米线的光电流响应大约是CsPbCl?器件的10倍,其响应度为49 A/W。[39] 尽管这些异质结构光电探测器具有高光响应和优异的性能,但由于设计复杂和操作限制等挑战,它们在光加密通信中的应用仍然有限。
在这项工作中,我们报道了一种用于合成CdS/Sn超晶格纳米线的CVD方法。结构表征显示,这些超晶格纳米线具有CdS和Sn的周期性轴向排列,并且具有优异的晶体质量。空间分辨的微光致发光光谱和2D PL映射图像进一步证实了超晶格的成功合成。基于这些纳米线制备的光电探测器表现出卓越的性能:响应度为99.56 A/W,检测率为1.96 × 1013 Jones,以及高ION/IOFF比值为105。此外,这些器件已成功应用于光通信和加密成像领域,表明它们在下一代光电通信系统中有广阔的应用前景。