更正：“利用理论与实验解析金红石Sn1–xGexO2的生长动力学”

《Nano Letters》：Correction to “Unraveling the Growth Dynamics of Rutile Sn1–xGexO2 Using Theory and Experiment”

相图修正与共格应变影响：通过重新归一化正则溶液模型中的相互作用参数Ω，修正了SnGeO?薄膜相图中临界温度（从710°C升至2700°C）和Ge溶解度极限（从34%降至9%）的误差。实验观测的高Ge浓度仍与外延共格应变抑制相分离的理论一致

　　

在我们最初的论文中，我们发现了一个错误：在应用常规溶液相互作用参数（Ω）来构建图3中的非相干相图时，对归一化处理的方法有误。Ω值是根据DFT计算的混合能量进行归一化的，归一化是按每个原子计算的。然而，在吉布斯自由能的表达式中，构型熵是按每个阳离子混合位点定义的。这导致了焓项和熵项之间出现了三倍的不匹配（因为金红石化学计量单位中有三个原子），从而使得临界温度被低估，同时人为地缩小了互溶性间隙。

图3

图3. Sn_1–xGe_xO₂薄膜的建模。(a) 金红石SnO₂（左）和GeO₂（右）之间的DFT计算二元相图。(b) 上方的蓝线表示共晶线，下方的红线表示旋节线。虚线垂直箭头指示了本研究中制备的薄膜中Ge的最高含量。(c) 在600°C时，GeO分解为GeO和O₂（两种气体）过程中吉布斯自由能（ΔG）的变化与Ge含量的关系。(d) GeO在Sn_1–xGe_xO₂上的蒸气压与Ge含量的关系。蓝线和红线分别对应于晶体（金红石）和非晶固溶体。这些蒸气压数据来源于之前的GeO₂实验报告。(1,2) 我们使用了一个次常规溶液模型来计算蒸气压随组成的变化。我们采用了Müller等人(3)报告的r²SCAN相互作用参数（α, β），这些参数考虑了最佳相干性应变（α = 0.801 eV，β = ?0.144 eV/六个原子单元格）。(e) 预测的Sn_1–xGe_xO₂中Ge的浓度与前驱体（Ge和Sn）流量的关系。黄色区域对应于Ge在SnO₂中的亚稳态溶解度极限（59%），这是根据考虑相干性应变的次常规溶液模型确定的。

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现在使用一致归一化的Ω值（按每个阳离子位点计算）重新评估后，非相干互溶性间隙变得更大：预测的临界温度从710°C升高到2700°C，600°C时的亚稳态溶解度极限（旋节线）从34%降低到9% Ge。图3已更新以反映这些修正后的结果。我们实验观察到的Ge浓度显著超过了这个修正后的亚稳态极限。然而，Müller等人最近的第一性原理计算表明，外延相干性应变可以抑制相分离并扩展溶解度窗口(3)，这解释了我们修正后结果中的这种明显差异。图3c和d因此已更新，采用了考虑相干性应变效应的相互作用参数，以更准确地反映实验条件。

这些修正并没有改变原始论文的核心实验观察结果或定性结论，即：薄膜Sn_1–xGe_xO₂的溶解度超过了非相干体热力学的预测；最大化Ge含量需要高Ge流量和低Sn流量；此外，非晶化结合GeO的挥发性阻止了在高Ge浓度下形成晶体薄膜。这里提供了图3的修订版本。我们感谢Emmanouil Kioupakis和Anirudh Raju Natarajan指出了这一差异，并感谢Müller等人(3)所做的仔细分析，这使得我们能够修正相图计算。