在电光应力作用下，β-Ga2O3太阳能遮光光电晶体管中由陷阱诱导的不稳定性

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《IEEE Transactions on Electron Devices》：Trap-Induced Instability in β-Ga2O3 Solar-Blind Phototransistors Under Electro-Optical Stress

【字体：大中小】 时间：2026年03月05日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

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摘要：

本文系统研究了在长期电光应力作用下，β-Ga2O3 防太阳光光敏晶体管中的陷阱辅助不稳定性。在黑暗条件下施加负偏压（NBS）时，阈值电压（）首先在 -3 V 时略微下降，然后在 -5 V 时上升至 0.05 V，同时滞后现象（

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