一种具有15-fJ/步长、82.4-dB信噪比的SAR电容-数字转换器,采用系统级相关双采样技术

《IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers》:A 15-fJ/Step, 82.4-dB SNR SAR Capacitance-to-Digital Converter With System-Level Correlated Double Sampling

【字体: 时间:2026年03月06日 来源:IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 5.2

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  本文设计了一种16位动态SAR电容-数字转换器,采用系统级相关双采样抑制比较器偏移、低频噪声及外部干扰,通过仿真确定最佳延迟时间,LSB重复机制提升低噪声性能,双数字电源技术降低功耗并扩展延迟单元能效,在180nm CMOS工艺下,基于MEMS压力传感器验证了0.27fF分辨率、82.6dB SNR和15fJ/step Walden merit,无校准DNL/INL分别为-0.76/+0.85 LSB和-9.16/+9.15 LSB,干扰抑制性能较非CDS方案提升16倍(100Hz)和7倍(1000Hz)。

  

摘要:

本文介绍了一种16位、低功耗、全动态的连续逼近寄存器(SAR)电容-数字转换器(CDC),专为单端电容传感器设计。提出了一种系统级的相关双采样(CDS)方案,用于抑制由比较器偏移、低频噪声和外部干扰引起的误差。首次对基于逆变器的放大器(FIA)比较器的延迟时间特性进行了分析,并通过仿真确定了最佳延迟时间。通过采用LSB重复技术提升了转换器的低噪声性能。双数字电源技术不仅降低了数字电路的功耗,还在几乎不增加功耗的情况下延长了数字延迟元件的延迟时间,从而提高了能效。该CDC采用180纳米CMOS工艺制造,使用电容式MEMS压力传感器进行了验证,实现了0.27 fF的最佳分辨率和82.6 dB的信噪比(SNR)。在56 μs的转换时间内,其功耗仅为2.85 μW,Walden性能指标(FoM)达到15 fJ/步。未经校准的情况下,该CDC的数字线性度(DNL)为-0.76/+0.85 LSB,积分非线性(INL)为-9.16/+9.15 LSB。实验结果表明,在100 Hz频率下,该转换器的抗干扰能力提升了16倍以上;在1000 Hz频率下,抗干扰能力提升了7倍以上,相比非CDS实现方案具有显著优势。
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