近红外(NIR)光谱通常分为第一生物窗口(NIR-I,700–1000纳米)和第二生物窗口(NIR-II,1000–1700纳米)[1]。与NIR-I光相比,NIR-II光在生物成像和光谱传感方面具有更优的性能,因为其组织散射较少、自荧光较低且穿透深度更大[2]。此外,基本分子键(如C–H、O–H)的特征吸收在NIR-II区域更为明显,使其成为食品质量控制和医学诊断等领域的强大非破坏性分析工具[3]。然而,传统的NIR光源(如钨卤素灯)体积较大且效率较低,而高性能III–V族半导体基LED则面临制造成本高和光谱可调性有限的挑战[4]。近年来,NIR荧光转换LED(pc-LED)作为一种有前景的解决方案出现。通过将商用LED芯片与光谱可调荧光粉结合,pc-LED实现了低成本、紧凑结构和可调光发射性能等核心优势[5, 6]。
高效稳定的NIR荧光粉是决定NIR pc-LED性能的关键材料[7]。目前,常见的NIR激活离子可分为镧系(Ln3+)离子(如Yb3+、Er3+、Tm3+)和过渡金属离子(如Cr3+、Ni2+、Fe3+)[8, 9, 10, 11, 12]。其中,Cr3+由于其3d3价电子构型而受到广泛关注,因为它具有独特的能级结构和对局部晶场敏感的特性[13, 14]。在晶场强度(Dq/B)的调控下,当Dq/B > 2.3时,2E → 4A2跃迁会产生约650–700纳米的窄带发射;而当Dq/B < 2.3时,4T2 → 4A2跃迁会产生650–1200纳米的宽带发射。然而,大多数Cr3+激活的荧光粉在实现长波长发射(>900纳米)时面临挑战,包括发射强度低和严重的热淬灭[15]。这主要是由于4T2能级与晶格声子之间的强耦合导致的非辐射跃迁[16, 17]。为了解决这个问题,从Cr3+到Ln3+的能量转移(ET)工程成为实现NIR-II发射并协同优化光学性能的关键策略。三价稀土离子如Yb3+和Tm3+具有特征性的f-f跃迁,能够在NIR-II区域产生尖锐稳定的发射峰[18, 19]。值得注意的是,Cr3+的宽4T2(F) → 4A2发射带(通常覆盖800–1100纳米)与Ln3+离子的特征吸收带(如Er3+的4I11/2或Yb3+的2F5/2)有显著的重叠[20, 21]。这种能级对齐促进了高效的荧光共振能量转移(FRET),实现了从NIR-I到NIR-II光谱区域的双带发射[22]。然而,传统的氧化物和氟化物基质通常在激活剂和Ln3+离子之间的能级对齐和掺杂兼容性方面表现不佳,从而限制了能量转移效率[23]。近年来,金属卤化物作为新型近红外发光材料的重要载体受到关注,因为它们具有优异的稳定性、高缺陷容忍度和丰富的光电性能[24]。其中,通式为A2BⅠCⅢX6(A = Cs+, Rb+;BⅠ = Na+, Ag+, CⅢ = Bi3+, In3+, Ln3+;X = Cl?, Br?, I?)的卤化物双钙钛矿(DPs)提供了理想的晶场环境和掺杂兼容性,为激活剂离子的高效发光提供了理想平台[20, 25]。例如,在Cs2NaInCl6:Cr3+中引入15%的Yb3+后,从Cr3+到Yb3+2NaLuCl6(CNLC)DPs因其独特的光学和结构优势而受到广泛关注,作为Vis-NIR发射体的理想宿主[20, 23]。Lu3+离子的光学惰性有效减少了竞争性吸收和不必要的能量损失[26]。此外,Lu3+位点与其他B位阳离子相比具有更好的晶格匹配性,有助于实现更高的掺杂浓度和更高效的Cr3+ → Ln3+能量转移[27]。
材料的结构和形态对其发光性能至关重要。与多晶粉末相比,单晶材料具有更低的缺陷密度、无晶界散射和更高的热导率[28, 29]。这些特性显著减少了非辐射复合路径,从而提高了发光效率和热稳定性[30, 31]。此外,大晶粒单晶可以直接封装到LED上,无需使用导热性差且稳定性低的有机粘合剂,有助于提高器件的稳定性。例如,Cs2TiF6:Mn4+单晶的IQE从多晶粉末的30.5%提高到了98.7%,并实现了全无机暖白LED的制造,具有出色的色彩再现性(CCT = 3155 K,Ra = 90)[30]。因此,研究Cr3+/Ln3+共掺杂DPs单晶材料,并对其结构配置和发光性能进行系统分析,不仅具有重要的科学意义,也为开发高性能NIR发光材料提供了创新策略。
在这里,我们通过优化的水热法成功合成了最大尺寸可达3毫米的CNLC:Cr3+和CNLC:Cr3+,Ln3+(Yb3+, Tm3+)DPs单晶。对晶体结构、NIR发光性能和能量转移机制进行了系统研究。单掺杂Cr3+的样品在970纳米处显示出宽带NIR发射,半高宽(FWHM)为158纳米,在300纳米激发下的IQE和外部量子效率(EQE)分别为73.1%和64.1%。为了进一步拓宽发射范围并增强NIR-II区域的发光性能,先后引入了Yb3+和Tm3+来构建共掺杂体系。在996纳米(Yb3+: 2F5/2 → 2F7/2)和1222纳米(Tm3+: 3H5 → 3H6)处出现了不同的发射特征,与单掺杂Ln3+样品相比,强度分别提高了3.2倍和17.6倍。得益于有效的能量转移和Ln3+离子的稳定本征发射,共掺杂体系在发光效率和热稳定性方面表现出显著优势。最佳组成为CNLC:3 mol%Cr3+,9 mol%Yb3+,IQE进一步提高到86.6%。在373 K时,CNLC:3 mol%Cr3+,5 mol%Tm3+和CNLC:3 mol%Cr3+,9 mol%Yb3+样品的发射强度分别保持了初始值的51.7%和17.2%,明显优于单掺杂Cr3+样品的6.0%。最后,我们通过将选定的单晶与540纳米LED芯片集成,制造出了NIR pc-LED。基于CNLC:Cr,Yb的器件在600毫安的驱动电流下实现了80.4毫瓦的最大NIR输出,进一步展示了其在生物成像、无损检测和夜视应用中的潜力。