对于传统的单结太阳能电池(SJSC),其PCE主要受光学吸收材料带隙的限制,因为带隙决定了SJSC产生的电流和输出电压的上限。较大的带隙会导致电压升高但电流减弱,反之亦然。电流和电压之间的权衡导致在单太阳光照下SJSC的最大效率限制约为33% [1]。中间带太阳能电池(IBSC)具有超越Shockley-Queisser极限实现高PCE的巨大潜力 [2]。IBSC通常需要在吸收材料的价带(VB)和导带(CB)之间引入一个中间带(IB)(见图1)。IB将原始带隙ECV分成两个子带EVI和EIC。除了能量高于带隙ECV的光子外,能量低于ECV的光子也可以被吸收,从而实现从VB到IB以及从IB到CB的电子跃迁 [3]。双光子光电流的过程首次在2006年得到验证 [4]。在理想的IBSC中,额外的吸收将导致光电流增加,而理想IBSC可以提供的最大电压仍然受ECV的控制,而不是受子带EVI或EIC的控制。通过允许强电流同时保持高输出电压,IBSC有可能突破SJSC的Shockley-Queisser极限,从而在单太阳光照下实现超过40%的效率 [3]。
迄今为止,已经开发了四种不同的技术平台来制造IBSC,即含有深能级杂质的块状固体(DLIs)、高度失配合金(HMAs)、有机分子(OMs)和量子点(QDs)。对于DLIs,IB本质上是杂质在宿主材料中引入的深能级。然而,这些不希望的深能级可能导致非辐射复合,从而对IB产生不利影响 [5]。对于HMAs,在宿主材料中加入少量新元素会与宿主材料的一个导带相互作用,将该导带分成两个子带。在这里,能量最低的子带成为IB [6]。然而,HMAs在保持电压方面仍存在不足。对于OMs,各种有机物种被用作敏化剂或高带隙受体 [7]。敏化剂可以吸收能量低于受体带隙ECV的光子。OMs的应用仍处于初级阶段,需要更多研究来实现敏化剂和受体的适当组合。
对于QDs,IB来源于受限态。两种常见的QDs是外延QDs(EQDs)和胶体QDs(CQDs)。EQDs是研究最广泛的IB平台 [8]。最近,由于低成本溶液处理技术的应用,基于CQD的IBSC在这一领域具有更大的成功潜力。通过在块状OIHP基质中添加PbS CQDs,实现了单色带下吸收和双光子光电流(TPPC),表明CQDs是IBSC的一个有前景的平台 [9]。然而,由于从VB到IB和从IB到CB的吸收较弱,TPPC产生的电流非常低,因为IB往往是一个空带。已知从IB到CB的光子吸收与IB的占据率成正比 [10]。如果可以通过控制CQDs的掺杂来半填充IB,就可以克服IB带空的问题,尽管这种控制仍需要在合成过程中付出额外努力。尽管基于CQD的IBSC取得了显著进展,但低体积浓度和过度的非辐射电子交换仍然是限制EQD基IBSC性能的两个主要问题。
迄今为止,最先进的多晶薄膜钙钛矿太阳能电池(PSCs)已经实现了26.7%的PCE [11,12],并且成本效益高的PSCs很可能是下一代高性能半导体 [[13], [14], [15], [16], [17], [18], [19], [20], [21], [22], [23], [24], [25], [26], [27]]。鉴于它们理想的光电特性 [[28], [29], [30], [31], [32], [33], [34]],我们认为扩展的OIHPs也可以成为制造IBSC的有前景的平台。实现这一目标的关键问题是如何在扩展OIHP的带隙内引入IB。如前所述,尽管杂质或CQDs可以引入IB,但仍存在许多问题,例如非辐射复合中心或弱吸收 [35]。特别是,上述四种IBSC原型都是异质材料,不可避免地存在固有缺陷,这限制了性能的提升。在这项工作中,我们理论上设计了一种基于均匀扩展OIHP的IBSC,不仅保留了OIHP的理想特性,还允许调节IB。