新型可重构反馈场效应晶体管，采用单栅极设计，适用于统一随机存取存储器（URAM）和内存计算应用

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Novel Reconfigurable Feedback Field-Effect Transistor With Single Gate for Unified RAM (URAM) and In-Memory-Computing Applications

本研究提出了一种单门可重构反馈场效应晶体管（SGR-FBFET），成功集成非易失性存储器（NVM）和1T-DRAM。该器件通过正反馈机制降低供电电压，非易失模式读取速度达0.4ns，电流比率超过10^6 A/um，易失模式感测边际22.0μA/um，保持时间100秒，支持非破坏性读取。其可重构特性（n/p通道导通比1.06）为逻辑-内存集成（R-LIM）提供新方案，适用于三维集成和未来R-LIM应用。

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摘要：

在这项研究中，我们报道了一种单栅可重构反馈场效应晶体管（SGR-FBFET），该晶体管将非易失性存储器（NVM）和1T动态随机存取存储器（DRAM）集成到了一个FBFET器件中。与之前报道的可重构FBFET不同，这种新型器件仅通过一个栅极即可实现重构，从而降低了金属互连的复杂性。与现有的统一随机存取存储器（URAM）相比，它通过正反馈机制所需的供电电压更低。在NVM模式下，我们的FBFET具有更快的读取速度，为0.4纳秒，并且具有出色的读取电流比（