在动态栅极应力作用下，平面SiC MOSFET中温度依赖性的栅极氧化物退化及界面陷阱机制

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《IEEE Transactions on Electron Devices》：Temperature-Dependent Gate Oxide Degradation and Interface-Trap Mechanisms in Planar SiC MOSFETs Under Dynamic Gate Stress

【字体：大中小】 时间：2026年03月09日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

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摘要：

在SiC MOSFET中，栅氧化层的可靠性对于高温和高功率应用来说仍然是一个关键问题。为了阐明动态栅极应力（DGS）后氧化层退化的温度依赖机制，本研究考察了四种平面型SiC MOSFET在以下温度下的栅氧化层可靠性：25

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