一种基于变压器的功率合成技术，用于60 GHz的CMOS功率放大器

宽带低损耗功率放大器在40nm CMOS工艺中实现，采用差分传输线变压器实现阻抗匹配和高效功率合成，覆盖IEEE 802.11ad标准全部信道（53-67 GHz），增益17.6 dB，1 dB压缩点18 dBm，PAE达20%。

　　

摘要：

本文介绍了一种采用40纳米CMOS工艺实现的宽带、低损耗功率放大器（PA）。该功率放大器采用差分传输线变压器（DTLT）来实现宽带阻抗匹配和高效功率合成。所提出的DTLT能够在13 GHz的带宽范围内实现50 Ω的阻抗转换。测量结果显示，该功率放大器在60 GHz附近的增益为17.6 dB，53至67 GHz的带宽内增益为3 dB，覆盖了IEEE 802.11ad标准中定义的所有频段。其输出1 dB增益压缩点（OP）为18 dBm，饱和输出功率（P_sat）为18.2 dBm，功率附加效率（PAE）分别为19.2%和20%。