一种采用90纳米SiGe工艺制造的200 GHz高压缩比、耦合线结构的共基混频器
《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A 200-GHz High-Compression, Coupled-Line Common-Base Mixer in 90-nm SiGe Technology
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时间：2026年03月09日
来源：IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 3.4
摘要：
本文提出了一种新型的基础性下变频混频器拓扑结构，适用于工作频率超过
