600°C紫外光探测器阵列，具有双峰响应特性，其性能通过SiGaOx工程化的β-Ga2O3/4H-SiC异质结得到进一步提升

《IEEE Transactions on Electron Devices》：600 °C Ultraviolet Photodetector Array With Dual-Peak Responsivity Enhanced by SiGaOx-Engineered β-Ga2O3/4H-SiC Heterojunction

高温紫外光电探测器基于β-Ga2O3/4H-SiC异质结研制，SiGaOx界面层抑制暗电流并提升光电流，工作温度达600℃，250nm下响应度达10.1A/W，成像能力验证应用潜力。

　　

摘要：

在本文中，我们展示了一种基于β-Ga2O3/4H-SiC同型（n型）异质结的高温紫外（UV）光电探测器（PD）阵列。其中，自发形成的SiGaOx界面层在抑制暗电流和增强光电流方面发挥了关键作用，使得该探测器能够在室温（RT）到600°C的范围内稳定工作。由于β-Ga2O3和4H-SiC对紫外光的吸收特性互补，该PD在整个温度范围内表现出明显的双峰光谱响应。因此，在250纳米波长下的光照下，该器件的响应度显著提高，达到1.46 A/W；在600°C下的光照下，响应度为10.1 A/W；在310纳米波长下的光照下，响应度分别为0.26 A/W和0.78 A/W。此外，这款8×8英寸的UV PD阵列在600°C下仍具备成像能力。这些发现突显了SiGaOx界面层在β-Ga2O3/4H-SiC异质结中的重要作用，以及此类异质结结构在极端温度环境下进行紫外检测和成像的潜力。