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关于SiC MOSFET反向二极管的可逆恢复特性

【字体： 大 中 小 】 时间：2026年03月12日 来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2

编辑推荐：

　　

　　

摘要：

SiC MOSFET的反向体二极管在室温下表现出可以忽略不计的反向恢复电荷（QRR）。然而，当温度超过100°C时，会出现显著的QRR现象，并且在应用相关的电压下可能会出现突然的电流变化（即“电流骤降”行为）。SiC体二极管的反向恢复行为可以通过有效载流子寿命（<
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