镁离子电池(MIBs)因其丰富的镁资源、高体积能量密度和良好的安全性而受到广泛关注[[1], [2], [3]]。然而,MIBs也面临离子迁移速率慢和电极材料性能差等挑战,这些挑战阻碍了其商业化进程[[4], [5], [6]]。为了克服这些障碍,研究人员开始探索锂离子和镁离子的结合,开发镁-锂混合电池(MLHBs),旨在保留两种电池类型的优点,同时解决各自的缺点[[7], [8], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15], [16], [17], [18], [19]]。
在MLHBs中,正极材料的选择对电池性能起着关键作用。目前,已经有多种正极材料被用于混合电池,如过渡金属氧化物[20]、硫化物[[21], [22], [23], [24], [25], [26], [27], [28]]和聚阴离子化合物[29]。层状钒基材料因其独特的层状结构和丰富的氧化还原活性位点而显示出显著的应用潜力,特别是二硫化钒[[21], [22], [23]]。其中,高导电性的二硫化钒(VS2)是一个非常有前景的候选材料[30]。VS2晶体由金属钒层夹在两个硫层之间组成,这种三层结构具有0.579纳米的层间距,使其非常适合用于可充电电池[22]。然而,它仍然存在许多问题,如操作后结构易受损、离子迁移速度慢导致循环稳定性差,以及实际容量与理论容量之间存在一定差异[[31], [32], [33], [34], [35], [36], [37], [38], [39]]。鉴于上述缺点,迫切需要开发有效的策略来提高这些材料的性能。
在这里,我们首先将硫空位引入VS2(VS2-x)以调节其电子结构,然后加入聚(邻-苯二胺)(PoPDA)作为层间间隔物以优化离子传输动力学,制备出层状复合材料(P-VS2-x)[24]。第一性原理计算揭示了双重机制:硫空位在费米表面附近产生中间能级,促进电子转移;PoPDA降低了离子与宿主晶格的结合能,显著降低了扩散障碍。此外,差分电荷密度分析证实,引入硫缺陷显著削弱了离子与VS2之间的结合力,而PoPDA促进了晶格内的电子重新分布,进一步加速了电荷转移。引入硫空位和PoPDA降低了P-VS2-x的能量障碍,促进了Li+/Mg2+离子的移动。正如预期的那样,P-VS2-x在20 mA g?1?1?1?12和VS2-x原位表征,我们确信存在完全可逆的插层机制。此外,光谱分析清楚地揭示了钒价态和离子存储路径的动态演变模式。这项研究不仅为层状钒基材料在MLHBs中的应用提供了新的见解,也为高性能储能设备的发展提供了坚实的技术支持。