通过使用氮气-氨气混合物进行氨解反应,控制SrNbO2N氧 evolution 光催化剂中的Nb(IV)缺陷

【字体: 时间:2026年03月14日 来源:ChemSusChem 6.6

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  表面和晶格Nb?+缺陷通过光谱学鉴定为SrNbO?N光电催化性能低下的主因。通过混合13% NH?/87% N?气氛的氨热合成法,晶格缺陷浓度降低5倍,同时使可见光驱动下的水分解活性提升4倍,电流密度达1.07 mA/cm2,量子效率5.1%。前期研究证实该稀释策略适用于LaTiO?N和BaTaO?N等过渡金属氧氮化物。

  

摘要

锶铌氧氮化物(SrNbO2N)是一种具有良好耐腐蚀性的半导体材料,适用于可见光驱动的水分解反应,这是一种非光伏方式的绿色氢燃料生产途径。然而,通过氨解法制备的SrNbO2N材料通常含有Nb4+缺陷,这些缺陷会导致电子-空穴复合。在本研究中,我们发现通过在13%:87%(体积比)的NH3/N2混合气氛中从金属氧化物合成SrNbO2N,可以显著减少这类缺陷。电子顺磁共振(EPR)分析表明,在纯NH3中制备的SrNbO2N含有磁化率为2.002和2.195的顺磁杂质,这些杂质来源于晶格和表面的Nb4+缺陷。这些缺陷还会导致在800 nm和1020 nm处出现宽吸收峰,同时晶格缺陷会在表面光电压谱中产生1.55–1.63 eV的信号。改进后的SrNbO2N中的晶格Nb4+缺陷数量减少了五倍(8.95 × 1015 cm?3),在模拟阳光条件下,其光电流密度达到1.07 mA cm?2(相对于RHE),并在400 nm处的量子效率为5.1%。根据之前对LaTiO2N和BaTaO2N的研究结果,合成过程中减少NH3的浓度通常对过渡金属氧氮化物的性能有益。

图形摘要

通过光谱分析确定,表面和晶格中的Nb4+缺陷是导致SrNbO2N光电化学性能较低的原因。使用稀NH3进行氨解处理后,SrNbO2N中的晶格Nb4+缺陷浓度降低了五倍,太阳能转换效率提高了四倍。根据对LaTiO2N和BaTaO2N的研究结果,这种稀氨氮化处理方法普遍适用于氧氮化物材料。

描述不可用

资助信息

美国能源部(DOE-SC0015329)、美国国立卫生研究院(R35GM126961)和美国国家科学基金会(DMR-1828238)。

利益冲突

作者声明存在以下竞争性财务利益:加州大学董事会拥有的一项临时专利申请(USPTO 63/769, 245),该申请披露了在较低氨分压下合成时该化合物的优异性能。

数据可用性声明

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