在室温或更高温度下保持铁磁性的半导体材料对于自旋电子学和磁存储器技术具有重要意义,因为它们在能效和多功能集成方面具有潜在优势[[1], [2], [3], [4]]。早期实现磁性半导体的策略主要集中在传统半导体的稀磁掺杂(例如(Ga,Mn)As或(In,Mn)As中的Mn[[5], [6], [7], [8], [9]],以及层状二维晶体(如CrI3 [10,11])中内在磁性的发现。然而,这些方法通常具有低于300 K的居里温度,或者需要复杂的制备工艺,这限制了其实际应用。
像甲基铵铅碘化物(MAPbI
3,MA
+ = CH
3NH
3+)这样的混合有机-无机钙钛矿结合了出色的光电性能和简单的低成本溶液处理方法,这激发了人们对其是否也能表现出有用磁性的兴趣[[12], [13], [14], [15], [16], [17], [18], [19], [20]]。最近的实验报告表明,无论是天然存在的结构缺陷还是故意引入的磁性掺杂剂都可以在铅卤化物钙钛矿中产生磁信号,但这些信号背后的基本机制仍有争议[[21], [22], [23], [24], [25]]。在纯MAPbI
3中,该材料本质上是抗磁的,其微弱的磁响应被归因于碘或铅的空位[[23,26]]。另有研究表明,将Mn
2+替代到晶格中可以通过Mn中心之间的交换相互作用产生磁性[[27]]。
然而,这两种提出的机制在单独考虑时都面临挑战[[28]]。简单Mn2+替代所预测的磁矩往往超过实验测量值[[28,29]],而提出的双交换路径(如Mn2+–I?–Mn3+ [30,31])需要额外的空位来达到电荷平衡。这些不一致性表明掺杂剂化学和缺陷形成是相互关联的,需要一个综合考虑掺杂剂和缺陷的模型来解释观察到的磁性。目前,针对MAPbI3的系统实验和计算研究仍然有限。
在这项工作中,我们通过结合控制合成、全面的光谱学、磁测量、显微镜观察和第一性原理密度泛函理论(DFT)计算来阐明Mn掺杂MAPbI3中磁性的起源。我们使用逆温度结晶法合成了高质量的去掺杂(MAPb1?xMnxI3,其中x = 0.00–0.30)单晶,并制备了相同组成的机械研磨粉末。使用振动样品磁强计(PPMS-VSM)进行的磁特性测量显示,只有机械研磨后的Mn掺杂粉末在300 K时表现出弱铁磁滞回线,而未掺杂的晶体和粉末以及Mn掺杂的单晶仍保持抗磁性质。相关的光谱学方法(光致发光、飞秒瞬态吸收和电子自旋共振)和X射线光电子能谱表征表明,Mn的掺入促进了碘空位的形成,并且研磨过程中空位浓度增加。DFT计算进一步显示,孤立的Mn掺杂剂和附近的碘空位能够共同作用产生长程铁磁有序。这些结果共同揭示了Mn掺杂MAPbI3中室温磁性的空位介导机制,并提出了通过缺陷工程制造磁性铅卤化物钙钛矿的策略。