利用经典密度泛函理论研究了楔形纳米孔内离子液体的电吸附行为和电容特性

《Fluid Phase Equilibria》:Electrosorption and capacitance of ionic liquid inside wedge-shaped nanopores studied by classical density functional theory

【字体: 时间:2026年03月24日 来源:Fluid Phase Equilibria 2.7

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  本研究采用经典密度泛函理论(DFT)结合谱元方法(SEM)和高斯-洛巴托-勒让德点插值,系统研究二维楔形孔隙中离子液体的电吸附特性及复合孔隙结构对离子吸附与电容的影响,揭示了孔径参数与离子吸附行为的关联性。

  
沈古楼|李少中|胡永科|李彦星|张小杰|洪坤
中国淮安223003,淮阴理工学院,国家与地方联合矿物盐深度利用工程研究中心

摘要

离子在纳米孔中的电吸附是许多领域的重要研究课题。经典密度泛函理论(DFT)是分析受限离子的强大工具。在本研究中,我们使用经典DFT研究了离子在二维楔形孔中的电吸附和差分电容现象。考虑了硬球排斥、平均场库仑相互作用以及静电相关性对亥姆霍兹自由能的贡献。我们提出了一种高效的数值方法,用于求解复杂楔形孔中受限离子的问题,该方法基于高斯-洛巴托-勒让德(GLL)点插值,通过谱元方法(SEM)求解DFT方程组。通过与分子模拟结果的比较,验证了该方法的有效性。该模型被应用于研究离子液体在楔形纳米孔中的结构和电吸附行为。结果表明,平均孔径和楔角显著影响受限离子的性质。例如,在保持平均孔径不变的情况下,随着楔角的增大,高电位下的平均表面电荷密度降低,从而导致电容减小。随后,该模型被应用于研究由狭缝状中心和楔形入口组成的复合孔中离子的吸附行为。研究结果表明,通过调整楔形入口的角度,可以改善离子的吸附和电荷存储性能。

引言

离子在纳米受限空间中的结构和性质与体相中的显著不同,这为纳米受限离子流体在能量存储、分离过程和生理学中的应用提供了巨大潜力[[1], [2], [3]]。例如,超级电容器是一种重要的能量存储设备,具有高输出功率密度和环保等优点,是清洁能源发展的重要方向。超级电容器中的电荷是通过电解质/电极界面吸附离子来积累的。离子液体(IL)通常由有机阳离子和无机或有机阴离子组成,在100°C以下为液态。由于其优异的物理化学性质,如极低的蒸气压、良好的热稳定性和宽的电化学窗口,IL已成为一种有前景的能量存储电解质。
电极材料是电容器的另一个核心组成部分,它们具有优异的导电性、多孔性和稳定性。例如,碳材料由于其高稳定性和发达的多孔结构,已成为非常受欢迎的电极材料。固体表面的双电层可以吸附离子以储存电荷,因此碳材料中的丰富孔隙可以增加能量存储容量。已经研究了多种碳电极用于电容器,如洋葱状碳、碳纳米管、二维(2D)石墨烯和碳纳米管森林[[4], [5], [6], [7], [8], [9], [10], [11]]。孔的形状、大小和表面性质显著影响受限离子的结构、质量传递和电化学性能[[12], [13], [14], [15]]。许多实验和理论工作致力于研究孔中离子的双电层结构和性质。然而,孔结构对IL中双电层结构和性能的影响仍很大程度上未被探索。
经典密度泛函理论(DFT)是分析受限离子液体的常用工具。DFT已被用于研究离子液体中双电层的性质,例如组成、尺寸和溶剂对电容以及充电动态的影响[[16], [17], [18], [19]]。迄今为止,关于受限离子液体的DFT研究主要集中在简单的孔模型上,包括狭缝孔、球形孔和圆柱形孔模型。由于制备方法的不同,纳米孔往往具有复杂的形状。因此,有必要对具有复杂结构的纳米孔(如楔形孔和圆锥形孔)中的离子电吸附进行DFT研究。楔形孔模型已被应用于孔径分布分析和气体吸附模拟[[20], [21], [22]]。对于楔形孔中离子的DFT研究,需要同时求解二维复杂域中的非线性DFT欧拉-拉格朗日方程和泊松方程。关于复杂孔中离子的DFT研究很少,主要挑战在于数值求解由积分-微分方程组成的非线性系统。
目前,有限差分方法是求解DFT欧拉-拉格朗日方程的主要方法,因为它简单易实现。然而,这种方法在处理复杂区域中的离子方程时遇到困难。有限元方法(FEM)是求解复杂区域中微分方程的常用方法。尽管低阶有限元具有公式简单和数值鲁棒性强的优点,但其近似阶数较低,需要高密度网格离散化计算域,从而导致较大的计算成本和较高的内存需求。低阶FEM已用于一维离子流体系统的DFT研究[23]。很少有研究将低阶有限元应用于多维离子流体系统,更少有研究使用高阶有限元。
在这项工作中,我们研究了楔形孔中IL的双电层结构和性质。谱元方法(SEM)结合了FEM对复杂几何形状的适应性和谱方法的高精度,成为地震波传播和流体动力学模拟的流行方法[[24], [25], [26]]。受这些发展的启发,我们采用带有高斯-洛巴托-勒让德(GLL)点插值的谱元方法来求解复杂域中的DFT欧拉-拉格朗日方程和泊松方程。我们将计算域划分为四边形元素,未知函数使用高阶拉格朗日多项式定义,这些多项式的GLL点作为配置点。GLL点是GLL求积的配置点,因此在泊松方程的弱形式中对积分应用GLL求积可以得到对角质量矩阵,使得该方法有效[27]。GLL-SEM能够高效求解带电楔形纳米孔中离子的DFT方程。
本文的其余部分组织如下:第2节简要介绍了DFT模型以及用于求解DFT方程的GLL-SEM方法,包括离散化、卷积积分和电势的数值解。第3节展示了结果,分析了楔形孔中离子的结构、吸附性质和电容。最后,第4节给出了结论。

模型概述

我们考虑了限制在楔形孔或由狭缝中心和楔形入口组成的复合孔中的IL。IL包含球形阳离子和阴离子。这些离子被建模为带电的硬球,其价态为z±=±1。图1展示了系统的示意图。
在DFT计算中,起点是在固定体积化学势μα和温度T下定义的巨势泛函
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