过程耦合的最小R值与1200伏Si基半SJ器件中的实验研究
《IEEE Transactions on Electron Devices》：Process-Coupled Minimum R on,sp and Its Experiment in 1200-V Si-Based Semi-SJ Device
【字体：
大
中
小
】
时间：2026年03月24日
来源：IEEE Transactions on Electron Devices 3.2
摘要：
实验中实现了1200伏特硅基半超结（semi-SJ）器件的最小特定导通电阻（
