一种高速、低功耗的1.2千伏SiC ASG-MOSFET，具有增强的短路抗扰能力

《IEEE Transactions on Electron Devices》：A High-Speed and Low-Power 1.2-kV SiC ASG-MOSFET With Enhanced Short-Circuit Robustness

一种1.2kV高速低功耗碳化硅ASG-MOS器件研制成功，其Ciss/Rss比值显著优化，高频性能指标HF-FOM创历史新高，短路耐受时间提升60%，兼顾高速开关与高可靠性，适用于高压高频电力电子领域。

　　

摘要：

在本研究中，成功制造了一种1.2千伏、高速、低功耗的SiC ASG-MOS器件，并通过实验验证了其出色的动态性能和优异的短路鲁棒性。测量了该器件的多种电气特性，并将其与在同一晶圆上制造的传统MOSFET（C-MOS）以及最先进的SiC MOSFET进行了比较。结果表明，ASG-MOS显著提高了导通电阻（R_on）和开关电阻（Rrss），同时实现了低寄生电容，从而有效地实现了高开关速度和低开关损耗。诸如导通电阻（R_on）和开关电阻（Rrss）等参数，以及高频性能指标（HF-FOM，即R_on·Rrss）均达到了迄今为止报道的最高水平；此外，短路耐受时间（SCWT）提高了60%。ASG-MOS在开关特性和短路鲁棒性方面表现出优异的平衡性，这凸显了其在高频、高可靠性电力电子应用中的巨大潜力。