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通过原位生长ZnCo?O?/g-C?N?异质结来设计与制造光超级电容器器件
《Journal of Energy Storage》:Design and fabrication of a photosupercapacitor device via in-situ growth of ZnCo 2O 4 /g-C 3N 4 heterojunction
【字体: 大 中 小 】 时间:2026年03月25日 来源:Journal of Energy Storage 9.8
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光辅助超级电容器通过原位水热生长法制备g-C3N4/ZnCo2O4异质结光电极,对称结构能量密度达31 Wh/kg,异步结构提升至40.05 Wh/kg,循环2000次后保持78%电容,证实异质结结构对光响应电荷存储和循环稳定性的显著改善。
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结的形成。电流-电压(Current–voltage)测量显示了高效的光载流子生成和分离。光致发光(Photoluminescence)和时间分辨光致发光(time-resolved photoluminescence)研究显示,与单独使用碳氮化物(g-C3N4)相比,异质结的载流子寿命几乎延长了一倍。经过2000次循环的光电化学研究,其电容保持率仍为78%,证明了材料的稳定性。通过XRD、SEM、DRS、PL和XPS等综合表征技术,阐明了性能下降的根源。总体而言,g-C3N4/ZnCo2O4异质结构显著提升了光诱导的电荷存储能力,为自供电、低电压设备的开发提供了可行的途径。-n
结,在光照条件下电流密度为20 mA cm?2时显示出29.8%的性能提升[33]。尽管Co3O4是一种理论电容超过3560 F g?1的优异伪电容电极材料,但其较差的导电性限制了其理论性能的发挥[34]。与合适的过渡金属(如Zn、Ni、Fe、Cu等)形成固溶体可以提高其导电性,同时保持其氧化还原活性和结构稳定性[35]。Boruah等人将ZnCo2O4与光敏材料ZnO结合,形成了ZnO/ZnCo2O4异质结,在紫外光照射下显示出150 μF cm?22O4在光响应电容器应用中的有效性[37]。在最近的一篇文章中,Zhang等人将ZnCo2O4与NiO结合,使用NiO/ZnCo2O4组合实现了17.5%的性能提升,在光照条件下电容达到931 F g?1(电流为5 A g?1[38]。类似地,Zhao等人通过将NiO与FeCo2O4结合,在光照条件下实现了1.06倍的电容提升[39]。-n
结进行研究。这种材料组合已应用于超级电容器[40],[41]、染料降解[42]、光催化降解[43]、某些有害化学物质的检测[44]等领域,得益于两种材料的各自功能和协同效应。g-C3N4是一种具有优异结构、电子、化学、光催化和光电化学性能的光敏材料,具有可见光吸收特性[42]。另一方面,ZnCo2O4是一种优异的氧化还原活性材料,理论电容约为2604 F g?1[45]。通过用Zn2+离子替换Co3O4晶格中的四配位Co2+离子,其导电性得到提高,同时保持了Co3O4的氧化还原活性,因此非常适合用于超级电容器[46]。因此,-型ZnCo2O4与 -n
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结,这对于电荷的便捷传输和分离是必要的。