综述:基于高频(HF)的金属辅助化学蚀刻技术用于高纵横比硅微/纳米结构:机理、参数优化及制造考虑

《Materials Science in Semiconductor Processing》:HF-based metal-assisted chemical etching for high-aspect-ratio silicon micro/nanostructures: Mechanisms, parameter mapping, and manufacturing considerations

【字体: 时间:2026年04月09日 来源:Materials Science in Semiconductor Processing 4.6

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  高比表面积硅微结构通过金属辅助化学蚀刻(MACE)技术实现,涉及反应机理、工艺参数优化及不同结构应用,但存在轨迹控制、均匀性及催化剂去除等挑战,需结合催化工程与传输控制解决。

  
余道江|张崇腾|沈有康|李丽仪
中国无锡东南大学集成电路学院

摘要

高纵横比(HAR)硅微结构具有较大的比表面积和高的表面反应性。它们能够实现强光吸收、高效的载流子传输、高的化学反应效率以及良好的机械响应特性。这些结构是先进半导体器件、微机电系统(MEMS)和三维(3D)集成的核心组成部分。金属辅助化学刻蚀(MACE)是一种有效的湿化学微加工技术,用于制造高纵横比硅结构。本文综述了基于氢氟酸(HF)的水溶液体系,总结了孔注入、硅氧化/氟化以及刻蚀前沿载流子传输的反应路径和机理模型,并讨论了关键工艺参数,包括催化剂材料/结构、HF/氧化剂比例、基底性质和质量传输条件。文章还介绍了典型的硅结构类型,如硅纳米线、多孔硅、微柱、微米级沟槽、光栅和硅通孔,并强调了其在MEMS、光电子学、传感和先进封装中的应用。同时,指出了集成过程中面临的挑战,如轨迹控制、受限区域内结构均匀性的实现以及刻蚀后催化剂的去除与污染问题。此外,还总结了结合催化剂工程、传输控制和建模的新方法。

引言

高纵横比硅微纳结构在光吸收、载流子传输、化学反应效率及机械灵活性方面具有显著优势,因此在众多新兴半导体器件、微机电系统(MEMS)和三维(3D)集成技术中发挥着重要作用[[1], [2], [3], [4], [5]]。然而,实现高精度的高纵横比结构仍然具有挑战性,因为制造过程需要同时满足各向异性轮廓、高均匀性和可控的成本效益要求。
传统湿法刻蚀通常是各向同性的,因此在生成深度大、宽度小且垂直度高的结构时存在局限性。相比之下,高度各向异性的干法刻蚀技术(如深度反应离子刻蚀DRIE)虽然能够实现高纵横比结构,但通常需要昂贵的设备和严格的工艺控制,且可能引入等离子体损伤和污染,从而影响后续器件集成。
为此,金属辅助化学刻蚀(MaCE)作为一种湿化学替代方法应运而生。在MaCE过程中,贵金属催化剂(如Ag、Au、Pt)在刻蚀剂与金属/Si界面形成局部电化学微电池,促进硅中的孔注入,加速催化剂下方的局部溶解,从而形成高纵横比微纳结构[6]。随着机理研究和传输工程的发展,MaCE已从概念验证阶段发展到实际应用,应用于光电子学领域的黑色硅材料、储能和传感用途的硅纳米线/多孔硅,以及先进封装和3D集成所需的高垂直度沟槽和硅通孔(TSVs)[7], [8], [9], [10], [11]]。
鉴于刻蚀结果、催化剂性质、溶液化学成分、催化剂设计及质量传输之间的紧密关联,本文总结了基于氢氟酸的水溶液体系中MaCE技术制备高纵横比硅结构的最新进展。第2节阐述了电化学反应路径和代表性机理模型(孔注入、硅氧化/氟化及刻蚀前沿载流子传输),并将关键工艺参数与结构形态和刻蚀精度联系起来。第3节按主要结构类型(如纳米线/多孔硅、微柱、沟槽/光栅和TSVs)对相关文献进行分类,并分析了其与实际应用的关联。第4节分析了集成过程中的瓶颈问题,包括轨迹控制、受限区域内结构的均匀性以及刻蚀后催化剂的去除与污染问题,并提出了应对策略。第5节提供了结论性和展望。

机制概述

MaCE被理解为一种局部电化学溶解过程,其中浸没在氢氟酸-氧化剂溶液中的金属催化剂(如Au、Ag或Pt)促进催化剂下方硅的各向异性去除[12,13]。在此过程中,催化剂/Si界面形成纳米级原电池:金属表面作为氧化剂的还原电极,而下层硅则作为氧化和溶解的电极。

高纵横比结构的制备与应用

在MaCE中,催化剂的几何形状和连续性决定了局部电化学反应的空间分布,进而影响最终形成的高纵横比结构。实践中,催化剂可通过溅射或电子束蒸发等方式沉积,并可通过纳米颗粒或薄膜形式存在,也可通过光刻技术对刻蚀前沿进行精确控制[14,57,62,105]。
因此,本章按照典型结构类型及其应用场景进行组织,以便更好地理解其应用背景。

挑战与发展趋势

本节总结了目前限制基于MaCE的晶圆级高纵横比结构制造的关键瓶颈,并将这些瓶颈与相关的发展趋势进行了关联。

结论与展望

作为一种简单、低成本且高效的湿法刻蚀技术,MaCE在制备高纵横比硅微纳结构方面展现出显著优势。通过合理设计催化剂的形态和空间分布,并系统优化工艺参数,已实现了多种基于硅的微纳结构(如孔阵列、沟槽、纳米线和微柱)的可控制备。这些结构在多个领域具有广泛的应用前景。

作者贡献声明

余道江:撰写初稿、方法设计、实验研究、数据分析。张崇腾:项目管理、实验设计。沈有康:数据分析与分析模型构建。李丽仪:撰写修订稿、指导工作及资金申请。

利益冲突声明

作者声明以下可能构成利益冲突的财务关系和个人关联:李丽仪表示获得了江苏省自然科学基金的支持;同时,她还获得了国家自然科学基金的支持。其他作者声明不存在可能影响研究工作的财务利益或个人关联。

致谢

本研究得到了江苏省自然科学基金(项目编号:BK20230817)和国家自然科学基金(项目编号:6230403)的支持。
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