摘要
由零维和二维材料组成的混合维异质结构为光电子器件提供了一个有前景的平台，因为材料组合的多样性可以调节光学特性。通过施加偏压，可以进一步调节光学特性，超越范德华结的固有能带对齐。在这里，通过使用顶部的石墨烯电极来控制载流子在h-BN障碍层上的传输，实现了垂直堆叠的WSe?/h-BN/CdSe量子点/石墨烯异质结构中的偏压诱导隧穿效应。基于Simmons近似的电学分析表明，电荷可以通过薄的h-BN层进行隧穿转移，并且障碍 height 可以受到偏压的影响而改变。此外，通过光谱响应性和扫描光电流测量观察到WSe?和CdSe量子点中的隧穿诱导激子解离现象。这项工作建立了一个电压依赖的隧穿平台，能够对混合维光电子器件中的载流子动态进行精确控制。
利益冲突
作者声明没有利益冲突。
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