通过电化学剥离法可控合成氧化石墨烯,用于制备先进的纳滤膜
《Journal of Environmental Chemical Engineering》:Controlled synthesis of graphene oxide by electrochemical exfoliation for advanced nanofiltration membranes
【字体:
大
中
小
】
时间:2026年05月07日
来源:Journal of Environmental Chemical Engineering 7.2
编辑推荐:
劳尔·普拉(Raul Pla)、丹尼尔·费尔南德斯-卡拉斯科(Daniel Fernandez-Carrasco)、西尔维娅·维拉-罗迪尔(Silvia Villar-Rodil)、何塞·阿尔贝托·巴埃萨(Jose Alberto Baeza)、路易莎·卡尔沃(Luisa Cal
劳尔·普拉(Raul Pla)、丹尼尔·费尔南德斯-卡拉斯科(Daniel Fernandez-Carrasco)、西尔维娅·维拉-罗迪尔(Silvia Villar-Rodil)、何塞·阿尔贝托·巴埃萨(Jose Alberto Baeza)、路易莎·卡尔沃(Luisa Calvo)、诺埃莉亚·阿隆索-莫拉莱斯(Noelia Alonso-Morales)、米格尔·安赫尔·希拉兰兹(Miguel Angel Gilarranz)、法比安·苏亚雷斯-加西亚(Fabian Suarez-García)、胡安·伊格纳西奥·帕雷德斯(Juan Ignacio Paredes)
西班牙马德里自治大学化学工程系,邮编28049
**摘要**
氧化石墨烯(GO)作为一种材料,在过滤膜制备中备受关注。通过精确调节其性质(如片层尺寸和氧化程度),可以提高其在药物纳米过滤中的性能。电化学合成GO的方法能够更好地控制其性质,这比传统的化学合成方法具有诸多优势。在本研究中,采用两种电化学方法制备了氧化程度不同的GO材料(C/O比分别为2.7和4.0),以及具有不同官能团分布的GO材料:其中一种富含羟基和环氧基(96.8%),另一种富含羰基和羧基(30.5%)。此外,还获得了不同片层尺寸(约100纳米和1000纳米)的GO材料。这些GO材料被用于制备过滤抗生素的膜,实验结果表明,膜的过滤效果强烈依赖于GO的氧化程度,而非片层尺寸。使用C/O比为2.7、片层尺寸较小的GO材料制备的膜表现出更高的药物保留率(90%),优于使用传统化学氧化法制备的市售GO材料。
**1. 引言**
近年来,碳纳米材料在水处理领域引起了广泛关注[1]。其中,氧化石墨烯(GO)是一种非常突出的材料,它可以作为吸附剂用于多种水净化过程,也可与TiO2等化合物结合制成光催化剂,或用于过滤膜的制备[2]。后者尤其适用于去除水中的药物成分;在许多情况下,GO的表面化学性质对其过滤效果具有重要影响[3]。药物属于“新兴关注污染物”(CECs),这类化合物在水中具有持久性,常规处理方法难以有效去除,因此需要研究替代方法[4]。已确认多种药物属于优先关注的CECs,包括环丙沙星(CFX)[5],其在地表水中的浓度可高达ng L^-1[6]。
GO的制备基于石墨的氧化和剥离,传统上采用化学方法进行[7]。其中最常用的是胡默方法(Hummer’s method)及其改进版本,该方法合成时间短(仅需数小时)且安全性较高(避免了氯化物的产生),因此成为主流方法[8]。然而,该过程仍存在一些缺点,如会产生有毒气体(NO2、N2O4),还需后续处理以去除过量氧化剂。为此,人们发展了电化学剥离技术来规避这些问题[9]。在该技术中,石墨作为电极置于水电解池中,施加阳极电压以实现其氧化和剥离[7]。氧化过程中,离子和水分子会嵌入石墨片层之间,阳极氧化产生的氧自由基(如·OH)会攻击石墨晶格,同时氧气分子(O2)会在石墨层间产生压力,导致石墨层剥离,从而形成GO片层[10]。与化学方法相比,电化学剥离技术毒性更低、杂质更少,并且可通过调整工艺条件更易控制GO的性质[11]。
电化学剥离石墨可通过阴极剥离(使用碱金属离子或季铵阳离子的有机溶液作为电解质)或阳极剥离(使用水溶液,利用水电解产生的活性氧物种参与反应)来实现[12]。其中,阳极剥离技术更为广泛使用、技术更成熟,也更适合制备高氧化度的石墨烯[13]。常用的电解质包括H2SO4、HClO4和HNO3[14]。GO的性质受电解质类型和浓度、施加电压以及所用石墨前体类型的影响[15]。Ambrosi等人[16]研究了三种不同电解质(H2SO4、Na2SO4和LiClO4)在石墨箔阳极剥离中的作用,发现它们产生的GO氧化程度不同(C/O比分别为8.8、2.7和4.0)。电解质浓度也会影响GO的性质:高浓度H2SO4溶液生成的GO含有更多羟基,而低浓度(<7.1 M)溶液则促进羧基的形成[17]。施加电压也会影响GO的粗糙度和导电性[18]。此外,使用石墨箔作为前体可提高GO产量,并得到结晶度更高、层数更少的材料[19]。
GO的性质对其过滤性能具有重要影响。例如,较大的片层尺寸会导致更大的孔隙率,因为片层堆叠效率降低[20];氧化程度也会影响膜的选择性:氧化基团会增加层间间距,有利于分子通过,但未氧化区域则形成无摩擦通道,促进水分子流动[21]。这些性质部分可在膜制备过程中进行调整,如通过热处理、化学处理或光催化还原等方式调节氧化程度[22]。但这些处理会因氧化基团的去除而造成GO结构损伤[23],因此开发控制这些性质的新方法至关重要。
本研究旨在明确表面化学性质和几何因素哪种因素对过滤性能(渗透率和溶质去除率)影响更大,结果表明,具有优化表面化学性质的定制电化学GO材料比仅调整片层尺寸的材料具有更好的过滤效果。
**2. 材料与方法**
2.1 **材料**
石墨箔(Papyex 1980,厚度0.5毫米)由Mersen公司提供;石墨棒(直径3.05毫米,长度30.5厘米)由Thermo Scientific公司提供;尼龙支撑材料(直径90毫米,孔径0.45微米)从Filtros Anoia采购;环丙沙星(CFX,纯度≥98%)、H2SO4(95-97%重量百分比)、NaCl(99%)、NaOH(97%)、Na2SO4(99%)以及铂箔(尺寸25 × 25 × 0.025立方毫米)均来自Sigma-Aldrich公司;去离子水(Wasserlab,电阻率为18.2 MΩ·cm)用于溶液制备。参考材料为Graphenea公司的商业氧化石墨烯水分散液(浓度0.4%重量百分比)。
2.2 **电化学GO的制备**
采用两种不同的方法制备电化学GO样本:
- **GO_HE**:通过先前研究优化的电化学参数对石墨箔进行阳极处理[24, 25],得到主要含有羟基和环氧基的GO材料。具体步骤为:将石墨箔(阳极)和铂箔(对电极)浸入浓H2SO4(95-97%重量百分比)溶液中,先在3伏电压下处理20分钟(Keysight Technologies E3633A设备),使硫酸根离子嵌入石墨结构;随后在稀释后的H2SO4(50%重量百分比)溶液中继续处理以剥离石墨层。剥离后的材料用去离子水清洗至pH约5,再超声处理3小时(Ultrasons bath cleaner,J.P. Selecta),得到两种不同片层尺寸的样品;最后离心分离,分别收集上层清液和沉淀物,并重新分散在水中。对于更小片层尺寸的样品,超声处理时间延长至10小时,再离心20000转/分钟,最终收集上层清液作为GO_HE_S。
- **GO_CC**:采用另一种方法制备富含羰基和羧基的GO材料,具体步骤为:使用NaCl、NaOH和Na2SO4(浓度均为0.1 M)混合液作为电解质,对石墨棒进行阳极氧化(10伏电压,处理时间1小时),然后过滤电解质溶液以收集剥离出的GO材料。整个过程重复三次,所有收集的材料均用去离子水清洗后悬浮。样品经超声处理3小时并离心200转/分钟,收集上层清液作为GO_CC。
2.3 **GO膜的制备**
利用上述制备的GO材料,按照先前研究的方法[27]通过压力辅助过滤技术制备过滤膜。将GO分散液(浓度10 mg L^-1)制备在去离子水中,并用Hielscher UP200St超声波仪(功率90 W)处理10分钟。不同体积的GO分散液在尼龙支撑材料上过滤(压力100 hPa),得到不同GO负载量的膜(负载量范围200-800 mg m^-2)。膜在60°C下干燥24小时后储存于13°C待过滤测试,分别标记为M_GO_HE_L、M_GO_HE_S、M_GO_CC和M_Comm_GO。
2.4 **表征技术**
使用动态光散射(DLS,Litesizer DLS 500仪器,658纳米波长激光器,Anton Paar公司)测量GO样品的流体动力学直径和Zeta电位,测量时角度为90度。Zeta电位计算基于Smoluchowski方程[28]。基于DLS数据,使用公式[1]计算平均片层尺寸:
L = 0.07·aDLS^1.5(其中L为片层横向尺寸,aDLS为DLS测得的主流体动力学直径)。
GO样品还通过UV-VIS光谱(Cary 60 UV-VIS分光光度计,Agilent公司)进行分析;使用X射线光电子能谱(XPS,K-Alpha Thermo Scientific公司,激发能量1486.68 eV)测定其原子组成和官能团分布;扫描电子显微镜(SEM,JEOL JSM 7600F)观察膜表面和截面结构;湿态XRD测量在去离子水中进行,稳态时间为30分钟,与测试前预处理条件一致。Zeta电位测量使用SurPASS 3电导率分析仪(Anton Paar公司,奥地利格拉茨)。
2.5 **过滤实验**
使用自组装的交叉流装置(有效面积4平方厘米)进行过滤实验。 feed流速设定为644 mL min^-1,膜两侧压力为2巴。先通入去离子水稳定膜30分钟,然后加入10 mg L^-1的环丙沙星溶液,流速相同。30分钟后收集渗透液和截留液并测量其流量。
**表1. 使用的环丙沙星溶液浓度**用于过滤测试的药物。
**药物**
**分子结构**
**分子量(g mol-1)**
**分子尺寸(?)** [29]
**环丙沙星**
33
1.3
3.5 × 3.0 × 7.4
过滤测试中膜的性能通过其渗透率和 rejects 率来量化,分别用方程式 2 和方程式 3 计算:
(2) J = Q/A
(3) R = (Cf - Cp) / Cf × 100
其中,J 是渗透率(L h-1 m-2 bar-1),Q 是渗透液流量(L h-1),A 是有效面积(m2),P 是跨膜压力(bar),R 是 rejects 率(%),Cf 是进料流中的药物浓度(mg L-1),Cp 是渗透液流中的药物浓度(mg L-1)。
**3. 结果与讨论**
**3.1. GO 分散体及膜的特性**
图 2a 显示了两种电化学合成的 GO 分散体(未经过任何离心分离尺寸筛选)的动态光散射(DLS)测量结果。GO_HE 样品有两种不同的片状尺寸分布,而 GO_CC 样品只有一种尺寸分布,其流体动力学直径范围(覆盖 90% 的样品)在 136 到 360 nm 之间,主要峰值位于 231 nm。通过连续离心处理,从 GO_HE 分散体中获得了两种具有不同平均片状尺寸的样品(图 2b)。GO_HE_S 的尺寸分布相对较窄(流体动力学直径范围为 71-174 nm),主要峰值位于 105 nm;而 GO_HE_L 的尺寸分布从 200 nm 延伸到超过 1000 nm,有两个主要峰值,分别位于 408 nm 和 587 nm。商业 GO 分散体的尺寸分布与 GO_HE_L 类似,主要峰值位于 500 nm,分布范围可达 5000 nm。
**下载:** 下载高分辨率图像(218KB)
**下载:** 下载全尺寸图像
图 2. 初始 GO_HE 和 GO_CC 样品的 DLS 数值加权流体动力学直径分布(a),以及商业 GO、GO_HE_L、GO_HE_S 和 GO_CC 样品(b)。
各 GO 样品的流体动力学直径范围、主要峰值和估计的平均片状尺寸(根据方程式 1 计算)列于表 2 中。样品之间的片状尺寸范围很广,从 75 nm 到接近 1000 nm。具有最小片状尺寸的 GO_HE_S 平均片状尺寸为 75 nm,比 GO_HE_L 和商业 GO 低一个数量级。GO_CC 样品的片状尺寸约为 250 nm,介于较小和较大片状尺寸之间。GO_HE_L 的尺寸与商业 GO 相似,大约在 600-1000 nm 之间。表 2 还报告了 GO 分散体的 zeta 电位。所有样品均表现出负 zeta 电位,这是由于其结构中含有脱质子化的负电荷氧基团 [31],这也解释了所有样品在水中的均匀分散性和良好的胶体稳定性。在所研究的样品中,商业 GO 的 zeta 电位最低(-39.2 mV),表明其氧化程度更高,这一点也通过 XPS 分析得到了证实。GO_CC 样品的 zeta 电位(-34.1 mV)比 GO_HE 样品(-25.5 mV 和 -25.7 mV)更负。GO_CC 样品是通过产生较高比例羧基团的电化学方法制备的 [26]。这些羧基团的 pKa 值低于羟基团(约 4-6 vs 10 [32]),因此预计含有更多羧基团的 GO_CC 样品的片状表面电荷会更强负,相应的 zeta 电位也更负。
**表 2. 各 GO 样品的流体动力学直径范围、主要峰值和估计的平均片状尺寸**
图 3a 显示了 GO 样品的 UV-VIS 吸收光谱。约 233 nm 处的峰值可归因于 GO 晶格中电子共轭(未氧化)区域的 π→π? 转变,而 300 nm 处的宽峰则归因于 C=O 基团的 n→π? 转变 [33]。一些作者报告了 GO 的横向尺寸对其在 230 nm 附近 UV 信号的影响,较小尺寸的 GO 片材具有更高的吸收率 [34],但横向尺寸的减小也会导致 GO 的氧化程度增加,从而降低 C/O 比值。此外,不同类型和数量的氧基团的存在也影响了 UV 吸收 [34, 35]。片状尺寸最小的 GO_HE_S 样品的 UV 峰值向更短波长偏移(239 nm 对比 250 nm)。在 GO_HE 样品的合成过程中,较大的片状尺寸对应于较高的 C/O 比值(由于氧气含量较低)。GO_CC 样品的平均横向尺寸为 246 nm,处于较小和较大片状尺寸之间。GO_HE_L 样品的尺寸与商业 GO 相似,约为 600-1000 nm。表 2 还报告了 GO 分散体样品的 zeta 电位。所有样品均表现出负 zeta 电位,这是由于 GO 结构中存在脱质子化的负电荷氧基团的特性 [31]。
GO 的氧化程度通过 XPS 分析了每种分散体制成的膜进行了证实(图 3b)。从原子百分比计算出的 C/O 比值与吸收光谱分析的结果一致。因此,M_Comm_GO 是氧化程度最高的材料(C/O 比值为 2.4),其次是小片状材料(2.7),而大片状材料的 M_GO Hentai_L 和 M_GO_CC 样品的氧化程度较低(C/O 比值分别为 3.6 和 4.0)。所有膜中都检测到微弱的氮信号(0.5 - 1.1%),这可以解释为在制备过程中使用了含有氮的尼龙作为支撑材料。XPS 分析还用于确定每种膜中石墨烯晶格中碳原子的氧化状态,即通过测量高分辨率的 C 1 s 核谱(图 4)。该分析得到的 GO 谱谱显示四个峰值,分别对应于芳香族未氧化碳结构(C-C,284.5 eV)、羟基和环氧基团(C-O,286.5 eV)、羰基(C=O,287.2 eV)和羧基(O-C=O,288.5 eV)[36]。所有 GO 样品均显示出 C-C 键的主导信号,其百分比与 C/O 原子比成正比,分别为 M_Comm_GO、M_GO Hentai_L、M_GO Hentai_S 和 M_GO_CC 膜的 49.9%、55.8%、68.1% 和 72.6%。
**表 3. 各膜中的碳氧键分布(排除 C-C 键贡献)**
| 膜 | C-O (%) | C=O (%) | O-C=O (%) |
| -------------- | --------- | -------- | -------- |
| M_Comm_GO | 83.7 | 12.6 | 3.7 |
| M_GO Hentai_L | 92.4 | 7.5 | 0.1 |
| M_GO Hentai_S | 96.8 | 3.2 | 0.0 |
| M_GO_CC | 69.5 | 12.4 | 18.1 |
图 5 显示了 GO 膜的 SEM 图像。膜的顶视图显示了典型的表面形态和明显的褶皱。所有支撑表面都完全被覆盖,没有缺陷裂纹。使用较小横向尺寸 GO 制成的膜(M_GO Hentai_S 和 M_GO_CC)在模拟尼龙表面形态方面表现出更好的能力 [37]。膜的 XRD 衍射图(图 S2)显示,M_Comm_GO 显示出一个强烈且相对窄的峰值,对应于层间距约 8 ?;而阳极氧化 GO 显示出较宽且强度较低的峰值,对应于层间距小于 7 ?。这种差异可能是因为 M_Comm_GO 由单层组成,而阳极氧化石墨烯片是多层结构,层数在 1-4 层之间,只有外表面被氧化(见示意图 S1)。这导致了相应薄膜的层间距周期性差异,M_Comm_GO 基膜的层间距较为规则,而阳极氧化 GO 的层间距不规则,这一点在图 S2 的 accompanying 文章中有详细说明。此外,所有膜中都观察到了垂直堆叠(turbostratic stacking)现象,这通过 2D Raman 带的相对高强度得到了证实(见图 S3 及 accompanying 文章)。
**图 6. 600 mg m-2 膜在纯水(图 S4)和水基 CFX 溶液(图 6a)中的渗透率(蓝色)和 rejects 率(红色);以及渗透率和 rejects 率与 C/O 比值的关系(b)**
在本研究中,GO 分散体是通过电化学方法制备的,导致不同的横向尺寸和化学组成。在这些合成条件下,无法获得具有相同氧化特性但不同片状尺寸的 GO。因此,尽管图 6b 表明 GO 的氧含量对过滤性能的影响大于片状尺寸,但这一观察结果应考虑尺寸和组成之间的内在相关性。Saraswat 等人 [40] 表明,当化学组成相同时,GO 层的渗透率仅微弱依赖于片状尺寸。他们的研究表明,横向尺寸变化 100 倍仅导致渗透率变化 1.45-2.5 倍。M_GO_CC 膜具有中等片状尺寸(246 nm),显示出最低的 CFX rejects 率和最高的渗透率(14%,10.5 L h-1 m-2 bar-1),支持了氧含量在控制过滤性能中的主导作用。将电化学法制备的膜与 M_Comm_GO 膜进行比较,发现 M_GO Hentai_S 膜的过滤性能与商业 GO 制备的膜最为相似,其渗透率接近 1.0 L h-1 m-2 bar-1,CFX rejects 率约为 80%。
GO 膜过滤中涉及的主要溶质排除机制是尺寸排除和静电排斥。CFX 的过滤性能可以归因于这两种机制的结合。尺寸排阻效应主要受GO结构层间距离的控制;这一参数对于所有膜来说大约为0.8纳米。测试膜之间过滤性能的差异归因于CFX与GO膜之间的相互作用,这种相互作用主要由静电作用主导。在溶液pH值(约为7.3)下,CFX处于两性离子状态,即同时具有带电的胺基和酸基。GO膜表面带有负电荷,这导致与CFX之间的排斥作用(见图7)。GO膜的ζ电位值在表S1中给出。观察到的负表面电荷归因于GO中固有的高密度含氧官能团[28][40]。用商用GO制备的膜显示出-17.5 mV的ζ电位,而M_GO_HE_S的ζ电位值与之相当,为-19.8 mV;这两种膜的氧含量相似(分别为29.5%和28%)。相比之下,含氧官能团浓度较低的膜(如M_GO_HE_L和M_GO_CC)表现出较少的负表面电荷。此外,CFX的芳香环与GO片层中较少功能化的区域之间的π-π相互作用也对整体相互作用有显著贡献[41]。因此,GO的氧化程度越高,可接触的芳香表面就越少,这与使用更氧化的GO制备的膜所观察到的高截留率一致。
下载:下载高分辨率图像(105KB)
下载:下载全尺寸图像
图7. CFX与GO之间排斥作用的示意图
3.3. 电化学法制备的GO膜与商用GO膜相比
在通过电化学剥离法制备的GO膜中,M_GO_HE_S在CFX过滤方面表现出最佳性能,其渗透率和截留率与使用商用GO制备的膜相当。尽管表现相似,M_GO_HE_S具有合成时间短和使用的有害化合物较少的优势。同样,图8a显示,使用商用GO制备的膜的形成时间比使用GO_HE_S制备的膜长得多(600 mg m-2膜的合成时间为25分钟对比100分钟),这是由于大片层在孔隙中的重叠程度更高[42]。这对于膜制造来说很重要,因为已有研究表明,由于形成时间过长会导致膜压缩,从而降低水的渗透率[43]。将M_GO_HE_S的负载增加到800 mg m-2仅使形成时间增加到40分钟,但保持了相似的渗透率并提高了CFX的截留率。
下载:下载高分辨率图像(152KB)
下载:下载全尺寸图像
图8. 使用不同GO负载量(a)制备的膜的形成时间以及M_GO_HE_S膜在不同GO负载量(b)下对CFX的渗透率(蓝色)和截留率(红色)的过滤测试结果。
使用GO_HE_S和800 mg m-2负载量制备的膜能够截留超过90%的CFX(见图8b),而渗透率接近使用600 mg m-2负载量制备的膜的渗透率(分别为1.3 L h-1 m-2 bar-1和1.0 L h-1 m-2 bar-1)。这种行为可以归因于电化学法制备的GO中片层排列的差异,因为它们既包含单层片层也包含多层片层(2-4层)。这一事实展示了这种材料在用于CFX等药物的纳米过滤膜制备方面的潜力。
4. 结论
通过电化学方法成功制备了具有不同性质的GO。通过使用两种不同的电化学方法,修改了GO的不同官能团的分布,得到了GO_HE(含有大量的羟基和环氧基团,占92.4%–96.8%)以及GO_CC(含有更多的羰基和羧基,占30.5%)。此外,根据制备过程中的条件不同,样品表现出不同的氧化程度。对于GO_HE样品,通过简单的离心和超声处理分出了两种不同尺寸的片层(75纳米对比577-996纳米)。将这些GO应用于药物纳米过滤膜的制备中,揭示了氧化程度在此过程中的重要性,其效果比GO片层尺寸更为显著。因此,使用GO_HE_S样品制备的膜显示出与使用较大片层尺寸的商用GO制备的膜相似的过滤性能。此外,由于GO_HE_S的片层尺寸较小,其制备膜的负载能力更强,合成时间也较短。因此,将GO负载量增加到800 mg m-2时,可以达到高达90%的截留率,而渗透率没有显著下降。
红帽作者贡献声明:
Juan Ignacio Paredes:撰写、审阅与编辑、项目管理、资金获取、概念构思。
Raul Pla:撰写、原始草稿、方法学设计、实验研究、数据管理。
Silvia Villar-Rodil:验证、方法学设计。
Daniel Fernandez-Carrasco:方法学设计、实验研究。
Luisa Calvo:撰写、审阅与编辑、监督、资金获取、概念构思。
Jose Alberto Baeza:撰写、审阅与编辑、验证。
Miguel Angel Gilarranz:撰写、审阅与编辑、项目管理、概念构思。
Noelia Alonso-Morales:撰写、审阅与编辑、监督、资金获取、概念构思。
Fabian Suarez-García:撰写、审阅与编辑、项目管理、资金获取、概念构思。
生物通微信公众号
生物通新浪微博
今日动态 |
人才市场 |
新技术专栏 |
中国科学人 |
云展台 |
BioHot |
云讲堂直播 |
会展中心 |
特价专栏 |
技术快讯 |
免费试用
版权所有 生物通
Copyright© eBiotrade.com, All Rights Reserved
联系信箱:
粤ICP备09063491号