《Journal of Interventional Cardiac Electrophysiology》：Lattice-tip dual energy ablation creates effective ventricular lesions through transmural scar that might inadvertently increase lead capture thresholds on the opposing surface
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背景：采用传统射频能量（RF）在瘢痕内行室性心动过速（VT）消融时，实现足够的损伤深度具有挑战性。晶格头端导管可实现双能量消融（RF联合脉冲电场[PF]），具备更强的组织穿透能力。
目的：研究人员报道3例合并透壁性左心室心尖部瘢痕、药物难治性VT的心脏植入式电
背景：采用传统射频能量（RF）在瘢痕内行室性心动过速（VT）消融时，实现足够的损伤深度具有挑战性。晶格头端导管可实现双能量消融（RF联合脉冲电场[PF]），具备更强的组织穿透能力。
目的：研究人员报道3例合并透壁性左心室心尖部瘢痕、药物难治性VT的心脏植入式电子设备（CIED）患者。所有患者均接受心内膜左心室消融，采用RF及叠加PF模式。消融部位包含邻近CIED导线对侧表面的区域，该区域为VT环路的关键部位。术前、术后及随访期间均评估CIED参数。
结果：所有病例均实现VT消除，达到完全不可诱发，早期随访（4-6个月）无复发。但每例患者均出现意外的CIED导线夺获阈值升高（右心室心尖部2例，左心室前外侧冠状静脉窦分支1例），且随时间推移部分恢复。该表现与邻近对侧导线电极的消融操作相关。
结论：双能量晶格头端消融可经透壁瘢痕形成有效心室损伤，但可能升高对侧心肌表面的CIED夺获阈值。本研究提示，在邻近CIED导线的对侧表面行消融时需保持警惕，需结合相应室壁厚度、潜在导线损伤风险与心律失常发作的严重程度进行权衡。
该研究发表于《Journal of Interventional Cardiac Electrophysiology》，聚焦于晶格头端双能量消融技术在合并透壁性左心室瘢痕的药物难治性室性心动过速（VT）患者中的应用及安全性问题。当前，针对结构性心脏病相关的VT，传统射频消融（RF）在瘢痕组织内的穿透能力有限，难以实现透壁损伤，导致手术失败率较高。同时，心脏植入式电子设备（CIED）患者在接受消融治疗时，存在能量损伤导线的潜在风险，而新型晶格头端导管虽可通过RF联合脉冲电场（PF）增强组织穿透，但其在薄壁瘢痕区域消融时对侧CIED导线的影响尚不明确，因此亟需明确该技术的安全边界。研究人员通过对3例特定患者的临床观察，证实了该技术的有效性，同时揭示了其对侧导线阈值升高的风险，为临床操作提供了重要警示。
研究纳入3例合并透壁性左心室心尖部瘢痕、药物难治性VT且植入CIED的患者，所有患者均于2025年11月起在该中心接受Sphere-9晶格头端导管消融。关键技术方法包括：在全身麻醉及心腔内超声（ICE）引导下，经房间隔穿刺进入左心室；采用Affera电解剖标测系统采集基质图，以0.5 mV为瘢痕的经验性阈值并动态调整；消融策略为先以RF（温度限制模式，目标60 ℃，灌注速率30 mL/min，单点消融30 s），再对关键部位（VT终止位点、起搏标测匹配区域、RF未完全消除局部异常心室活动[LAVA]区域）叠加最多4次PF（单组1500脉冲，每组12串，串间延迟350 ms，单组时长约5.5 s）；以完全不可诱发（采用三重复刺激至不应期）及LAVA消失为终点，术前术后及随访期持续监测CIED参数。
研究结果如下：
病例1为62岁室间隔肥厚型心肌病合并心尖部室壁瘤男性，反复因单形性VT住院，药物难治。消融后VT完全消除，随访6个月无复发。术前右心室导线双极夺获阈值为0.75 V@0.4 ms，术后急性升至2.375 V@1 ms，1个月降至2 V@0.4 ms，4个月降至1.625 V@0.4 ms，无感知及阻抗改变，与消融邻近右心室导线头端相关。
病例2为73岁陈旧性前降支心肌梗死男性，反复VT发作，抗心律失常药物无效。消融后VT完全消除，随访6个月无复发。术前右心室导线阈值为1 V@0.4 ms，术后急性升至1.25 V@1 ms，1个月降至1.5 V@0.4 ms，无感知及阻抗改变，与消融邻近右心室导线相关。
病例3为61岁陈旧性前降支心肌梗死男性，ICD电击风暴，既往曾接受左心室中段室间隔消融。本次消融后4种VT均被消除，随访4个月无复发。术前左心室导线（Attain Stability? Quad 4798）LV1-LV2阈值为1 V@0.4 ms，术后升至4 V@1 ms，起搏阻抗由722 Ω降至437 Ω，近端电极无夺获；2个月时阈值改善至3.5 V@1 ms，4个月时调整为LV1-右心室线圈构型，阈值2.5 V@1 ms。
讨论部分指出，晶格头端导管整合高密度标测与双能量消融，无需更换导管，显著提升了VT消融的效率与有效性，本研究中单台手术时长均小于3小时，且常可在不完成全环路标测的情况下快速终止VT。但研究同时观察到，消融可对侧表面CIED导线夺获阈值产生意外影响。既往已报道该导管消融可能导致RF诱发室颤、PF损伤ICD发生器等情况，而本研究中薄壁心尖部瘢痕（厚度约4-5 mm）与双能量消融的深层损伤（>5 mm）可能是导线损伤的核心原因，电流密度在导线头端附近聚集也可能加剧局部组织损伤。研究人员在第3例患者中通过调整消融时长（缩短至15秒）及避免PF叠加，成功避免了右心室导线阈值升高，提示操作中对导线距离的判断可降低风险。总体而言，在严重心律失常患者中，阈值升高但导线完整性不受损是可接受的代价，且阈值多随时间部分恢复。研究局限性包括未精确测量消融电极与CIED电极的距离、未区分RF与PF的独立贡献、未进行术后影像学评估损伤范围，需后续前瞻性研究进一步验证。
研究最终结论为：双能量晶格头端消融可有效经透壁瘢痕形成心室损伤，但可能升高对侧心肌表面的CIED夺获阈值。临床操作中需在邻近CIED导线对侧表面消融时保持警惕，结合室壁厚度、潜在导线损伤风险与心律失常严重程度综合权衡。
