《Materials Today》:Chiral Ni2+/Yb3+ molecular complex with room-temperature magnetic-field driven 180° polarization reversal
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马克西姆·伊万诺夫(Maxim Ivanov)|马克西姆·阿拉贡-阿尔贝蒂(Maxime Aragon-Alberti)|克洛伊·布克莱因维尔(Chloé Boucleinville)|布鲁诺·多纳迪厄(Bruno Donnadieu)|弗拉基米尔·A·霍姆琴科(Vladimir
马克西姆·伊万诺夫(Maxim Ivanov)|马克西姆·阿拉贡-阿尔贝蒂(Maxime Aragon-Alberti)|克洛伊·布克莱因维尔(Chloé Boucleinville)|布鲁诺·多纳迪厄(Bruno Donnadieu)|弗拉基米尔·A·霍姆琴科(Vladimir A. Khomchenko)|何塞·安东尼奥·帕伊桑(José Antonio Paix?o)|保拉·M·维拉里尼奥(Paula M. Vilarinho)|米卡埃尔·博杜安(Micka?l Beaudhuin)|杰罗姆·朗(Jér?me Long)
摘要
利用磁电效应(即磁性与电性的相互控制)对下一代电子设备至关重要,这些设备包括非易失性存储器和节能设备。虽然传统的单相无机磁电材料在室温下通常表现出较弱的耦合效应,但基于镧系离子的分子材料则展现出巨大的潜力。然而,迄今为止,这些材料的磁电响应仍然有限。在这里,我们报道了一种手性Ni2+/Yb3+分子晶体[NiLYb(NO3)3](结构式为S-H2< />-H223+磁各向异性与优化的晶体结构。这种设计使得该材料在室温下具备优异的铁电性能和极强的磁电耦合效应。值得注意的是,当沿极性轴施加磁场时,该材料在室温下几乎可以实现180°的纳米级极化反转,其磁电系数α31约为222 mV·Oe?1·cm?1。这一成果超越了以往的分子体系(在这些体系中仅能实现部分极化调制),为分子磁电材料树立了新的性能标杆,并使其成为与最先进无机材料相媲美的有力竞争者。