通过烷基胺插层诱导MoS2从2H相转变为1T相，从而增强钠离子存储性能

《Chemical Engineering Journal》：Electron injection-induced MoS2 phase transition from 2H to 1T via alkylamine intercalation for enhanced sodium-ion storage

　　

Xinglong Gao|Chong Hu|Long Zhang|Wenxin Tang|Mingzhi Wei|Lingli Cheng|Zhen Li

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  本文报道了一种通过烷基胺插层来调控MoS₂从2H相转变为1T相的简便电子注入方法。
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  烷基胺的插层可以向MoS₂中注入电子，从而生成1T相并增大层间距。
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  理论计算表明，TETA-MoS₂更有利于1T相的形成，并且具有更强的Na⁺吸附能力，能够促进Na⁺的反应动力学。
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  TETA-MoS₂在2 A g^?1的电流密度下表现出437.4 mAh g^?1的高可逆容量，经过1000次循环后容量保持率为98.6%。