在SiC(0001)衬底上生长的外延石墨烯中，狄拉克点移动量取决于插入的铑原子数量

《CARBON》：Dirac point shift depending on amount of intercalated rhodium atoms under an epitaxial graphene grown on a SiC(0001)

　　

柳生和也（Yagyu Kazuma）|高桥一敏（Takahashi Kazutoshi）|今村雅树（Imamura Masaki）|铃木隆之（Suzuki Takayuki）

摘要

在SiC(0001)基底上生长的Rh插层石墨烯通过扫描隧道显微镜、角分辨光电子能谱和X射线光电子能谱进行了研究。在室温下将Rh原子沉积在生长在SiC(0001)基底上的零层石墨烯上，经过1000°C的退火处理后，这些Rh原子能够插入零层石墨烯与SiC基底之间，导致零层石墨烯从基底上剥离，转化为Rh插层石墨烯，并在石墨烯下方形成一层Rh。退火前，Rh插层石墨烯的狄拉克点位于费米能级下方0.24 eV处；而在1250°C退火后，该狄拉克点向上移动至费米能级下方0.04 eV。这种向上移动的现象归因于1250°C退火时插入的Rh原子数量比1000°C时更多。